日月光半导体制造股份有限公司黄文宏获国家专利权
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龙图腾网获悉日月光半导体制造股份有限公司申请的专利布线结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111627877B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010104881.7，技术领域涉及：H10W70/63；该发明授权布线结构及其制造方法是由黄文宏;钟燕雯;卓晖雄设计研发完成，并于2020-02-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本布线结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种布线结构和用于制造布线结构的方法。所述布线结构包含导电结构、表面结构和至少一个穿导孔。所述导电结构包含至少一个介电层和与所述介电层接触的至少一个电路层。所述表面结构邻近于所述导电结构的顶面。所述穿导孔延伸穿过所述表面结构且延伸到所述导电结构的至少一部分中。
本发明授权布线结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种布线结构，其包括： 上部导电结构，其包含多个上部介电层、与所述多个上部介电层接触的多个上部电路层和多个内部导孔，其中所述多个内部导孔向上逐渐变窄，其中所述上部介电层的材料是透明的； 下部导电结构，其包含多个下部介电层和与所述多个下部介电层接触的多个下部电路层，其中所述下部导电结构的所述下部电路层的线距大于所述上部导电结构的所述上部电路层的线距； 中间层，将所述上部导电结构和所述下部导电结构接合在一起，其中所述中间层的材料是透明的； 表面结构，其邻近于所述上部导电结构的顶面；以及 至少一个上部穿导孔，其延伸穿过所述表面结构、所述上部导电结构和所述中间层，且电连接且终止于所述下部导电结构的所述多个下部电路层的最顶部电路层，且所述上部穿导孔向下逐渐变窄。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人日月光半导体制造股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾高雄市楠梓加工区经三路26号邮编81170；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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