华为技术有限公司常远获国家专利权
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龙图腾网获悉华为技术有限公司申请的专利半导体器件和电子设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224069101U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520418642.7，技术领域涉及：H10W74/40；该实用新型半导体器件和电子设备是由常远;韦庆松;佘勇;郑丽丽;刘宏亮设计研发完成，并于2025-03-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件和电子设备在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体器件和电子设备。该半导体器件包括衬底和栅极结构。其中，衬底具有有源区和隔离区，相邻有源区之间设有隔离区，相邻隔离区之间设有有源区；有源区设有沟槽，沟槽处填充半导体材料用于形成源极或漏极。栅极结构设于衬底的表面，栅极结构设于有源区且端部延伸至与该有源区连接的隔离区。栅极结构包括栅极和设于栅极的侧面的侧墙，隔离区的表面设有绝缘保护层，在隔离区，绝缘保护层覆盖衬底的除栅极结构之外的剩余表面；延伸至隔离区的侧墙与衬底连接。该绝缘保护层能够保护隔离区不被腐蚀，使栅极结构的侧墙能够保持较高的完整性，从而使半导体器件保持较高的可靠性和使用寿命。
本实用新型半导体器件和电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底具有多个有源区和多个隔离区，相邻有源区之间设有隔离区，相邻隔离区之间设有有源区；所述多个有源区中的至少一个设有沟槽，所述沟槽处填充半导体材料用于形成源极或漏极； 多个栅极结构，所述多个栅极结构中的至少一个设于一个所述有源区且两个端部分别延伸至与所述有源区相邻的所述隔离区；所述多个栅极结构中的至少一个包括栅极和设于所述栅极的侧面的侧墙； 所述多个隔离区的表面设有绝缘保护层；在所述隔离区，所述绝缘保护层覆盖所述衬底的除所述栅极结构之外的剩余表面；延伸至隔离区的侧墙与所述衬底连接。
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