北京智创芯源科技有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网获悉北京智创芯源科技有限公司申请的专利一种芯片衬底减薄设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224069071U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520422761.X，技术领域涉及：H10P72/00；该实用新型一种芯片衬底减薄设备是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2025-03-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种芯片衬底减薄设备在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种芯片衬底减薄设备，包括空腔腔室；设置在空腔腔室内，用于承载待减薄芯片的样品台组件；和样品台组件相连接，用于驱动样品台组件带动待减薄芯片旋转的旋转装置；入口和用于提供高压低温氮气的供氮装置相连通的进气管道；入口和用于提供蚀刻液的供液装置相连通的进液管道；第一端和进气管道的出口以及进液管道的出口共同连通的混合管道；混合管道的第二端延伸至空腔腔室内；混合管道的第二端连接有正对样品台组件上的待减薄芯片的喷头，用于向待减薄芯片喷淋被低温高压氮气雾化的蚀刻液。本申请所提供的芯片衬底减薄设备，可以实现芯片衬底快速均匀的腐蚀减薄，具有良好的减薄效果。
本实用新型一种芯片衬底减薄设备在权利要求书中公布了：1.一种芯片衬底减薄设备，其特征在于，包括： 空腔腔室； 设置在所述空腔腔室内，用于承载待减薄芯片的样品台组件； 和所述样品台组件相连接，用于驱动所述样品台组件带动所述待减薄芯片旋转的旋转装置； 入口和用于提供高压低温氮气的供氮装置相连通的进气管道； 入口和用于提供蚀刻液的供液装置相连通的进液管道； 第一端和所述进气管道的出口以及所述进液管道的出口共同连通的混合管道； 所述混合管道的第二端延伸至所述空腔腔室内； 所述混合管道的第二端连接有正对所述样品台组件上的所述待减薄芯片的喷头，用于向所述待减薄芯片喷淋被所述高压低温氮气雾化的所述蚀刻液。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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