厦门乾照光电股份有限公司王振礼获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门乾照光电股份有限公司申请的专利一种LED芯片获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN224069061U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202520503298.1,技术领域涉及:H10H29/14;该实用新型一种LED芯片是由王振礼;张靖榕;赵斌;曲晓东;罗桂兰;陈凯轩;费云瑞设计研发完成,并于2025-03-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种LED芯片在说明书摘要公布了:本申请提供一种LED芯片,LED芯片包括基板、与基板键合连接的第一电极层、位于第一电极层背离基板一侧表面的外延叠层、第一绝缘层、第一扩展电极、第二绝缘层、第二扩展电极。外延叠层中包含多个发光结构,实现层间的立体堆叠和互联,通过第一扩展电极和第二扩展电极将各发光结构并联,使得LED芯片在电压不升高的情况下,可以通过更大的电流,且可以灵活选用发光结构出射光的波段实现混光。并且,外延叠层上设有多个第一槽,第一扩展电极和第二扩展电极共用第一槽进行电流扩展注入,不需要各自开槽实现电流扩展注入,既可以保证电流均匀传输又不用压缩太多的发光面积,使发光面积最大化。
本实用新型一种LED芯片在权利要求书中公布了:1.一种LED芯片,其特征在于,包括: 基板: 与所述基板键合连接的第一电极层,所述第一电极层为反射电极; 位于所述第一电极层背离所述基板一侧表面的外延叠层;所述外延叠层设有沿背离所述基板的方向依次层叠的n层半导体层,n≥3,且n为正整数;两所述半导体层之间设有有源层,且各所述有源层两侧的半导体层分别为第一型掺杂和第二型掺杂;第一层半导体层为第一型掺杂;所述外延叠层设有多个第一槽,所述第一槽裸露所述第一电极层和所述第i层半导体层背离所述基板的部分表面,2≤i<n,且i为正整数; 第一绝缘层,其至少设置于各所述第一槽的侧壁,并设有连接孔;所述连接孔与各所述第二型掺杂的半导体层的裸露表面对应设置; 第一扩展电极,其层叠于所述第一绝缘层上,并电连接各第一型掺杂的半导体和第一电极层; 第二绝缘层,其至少覆盖所述第一扩展电极的裸露表面; 第二扩展电极,其设置于所述第一绝缘层上,并穿过所述连接孔电连接各所述第二型掺杂的半导体层; 所述连接孔在平行于所述基板的第一平面的投影,与所述第一扩展电极在所述第一平面的投影没有交集。
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