江西乾照半导体科技有限公司;扬州乾照光电有限公司陈睿民获国家专利权
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龙图腾网获悉江西乾照半导体科技有限公司;扬州乾照光电有限公司申请的专利一种砷化镓系LED外延结构及LED芯片获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224069051U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422874075.4，技术领域涉及：H10H20/815；该实用新型一种砷化镓系LED外延结构及LED芯片是由陈睿民;彭贤春;辛天姣;晏雨发;徐晶;张阿芹;朱万祥;韩效亚;马英杰;赵鹏设计研发完成，并于2024-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种砷化镓系LED外延结构及LED芯片在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种砷化镓系LED外延结构及LED芯片，包括：砷化镓衬底；位于所述衬底一侧表面依次层叠的N型半导体层、有源层以及P型半导体层；其中，在所述砷化镓衬底与所述N型半导体层之间设有复合型缓冲层；所述复合型缓冲层包括在所述砷化镓衬底表面依次设置的第一GaAs缓冲层、缺陷生长层和缺陷终止层，所述缺陷生长层用于使所述第一GaAs缓冲层的晶体缺陷扩大，所述缺陷终止层通过改变所述晶体缺陷的生长方向而终止所述晶体缺陷的生长。基于上述设置，可以有效避免因砷化镓衬底表面的刮伤及缺陷等为起点所形成的外延层错位、堆垛缺陷等结晶缺陷甚至滑移，提升长晶质量，同时成本提升较小。尤其适用高功率LED和小尺寸如Mini、MicroLED。
本实用新型一种砷化镓系LED外延结构及LED芯片在权利要求书中公布了：1.一种砷化镓系LED外延结构，其特征在于，包括： 砷化镓衬底； 位于所述衬底一侧表面依次层叠的N型半导体层、有源层以及P型半导体层； 其中，在所述砷化镓衬底与所述N型半导体层之间设有复合型缓冲层；所述复合型缓冲层包括在所述砷化镓衬底表面依次设置的第一GaAs缓冲层、缺陷生长层和缺陷终止层，所述缺陷生长层用于使所述第一GaAs缓冲层的晶体缺陷扩大，所述缺陷终止层通过改变所述晶体缺陷的生长方向而终止所述晶体缺陷的生长； 其中，所述缺陷生长层包括依次设置的第一缺陷生长层和第二缺陷生长层；所述第一缺陷生长层包括GaInP层，所述第二缺陷生长层包括InGaAs层，所述缺陷终止层包括AlGaInP层。
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