深圳市派思迪功率半导体有限公司张健哲获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市派思迪功率半导体有限公司申请的专利一种多芯片堆叠的封装体获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224069039U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520808799.0，技术领域涉及：H10D80/30；该实用新型一种多芯片堆叠的封装体是由张健哲;黄晓婷设计研发完成，并于2025-04-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多芯片堆叠的封装体在说明书摘要公布了：本实用新型属于半导体芯片技术领域，且公开了一种多芯片堆叠的封装体，包括封装基板，所述封装基板上设置有多组第一层级芯片，多组第一层级芯片背离封装基板一侧设置有多组第二层级芯片，多组第一层级芯片以及多组第二层级芯片均与封装基板电性连接，且多组第一层级芯片以及多组第二层级芯片采用封装材料固化结合，结合体背离封装基板的一面为钝化层，结合体外设置有保护壳，保护壳深度高于钝化层，钝化层与保护壳之间缝隙填充有热导材料，封装基板以及多组第二层级芯片之间设置有多组支撑架，本实用新型结构设计紧凑合理，第一层级芯以及第二层级芯片堆叠与封装基板封装为一体，相同的占用面积可包含更多的芯片，能大幅提高集成度。
本实用新型一种多芯片堆叠的封装体在权利要求书中公布了：1.一种多芯片堆叠的封装体，包括封装基板1，其特征在于：所述封装基板1上设置有多组第一层级芯片2，多组第一层级芯片2背离封装基板1一侧设置有多组第二层级芯片3，多组第一层级芯片2以及多组第二层级芯片3均与封装基板1电性连接，且多组第一层级芯片2以及多组第二层级芯片3采用封装材料4固化结合，结合体背离封装基板1的一面为钝化层5，结合体外设置有保护壳7，保护壳7深度高于钝化层5，钝化层5与保护壳7之间缝隙填充有热导材料6。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市派思迪功率半导体有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市龙岗区坂田街道岗头社区清湖工业区宝能科技园(南区)一期B区B3栋901-18A；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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