上海曦智科技股份有限公司;北京光智元科技有限公司沈亦晨获国家专利权
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龙图腾网获悉上海曦智科技股份有限公司;北京光智元科技有限公司申请的专利封装结构及光电装置获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN224067028U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202620222016.5,技术领域涉及:G02B6/122;该实用新型封装结构及光电装置是由沈亦晨;孟怀宇;严其新设计研发完成,并于2026-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本封装结构及光电装置在说明书摘要公布了:本实用新型提供了一种封装结构及光电装置。所述封装结构包括:封装基板;电子集成电路结构,设置在封装基板的上表面上,其包括第一重布线层、设于该重布线层上的电子集成电路芯片以及绝缘材料层,所述绝缘材料层包括底填胶及仅围绕在电子集成电路芯片的侧面的塑封层;光子集成电路芯片,设置在电子集成电路结构的上表面上方,其包括边缘耦合器;光耦合保护结构,位于光子集成电路芯片的下方,其顶部与光子集成电路芯片的下表面接触,底部与第一重布线层接触,以构成朝向远离电子集成电路结构的第一侧面开口的空腔,所述边缘耦合器从该光耦合保护结构的顶部向侧方凸出,在空腔中呈悬空状态,所述光耦合保护结构将边缘耦合器与绝缘材料层阻隔开。
本实用新型封装结构及光电装置在权利要求书中公布了:1.一种封装结构,其特征在于,包括: 封装基板; 电子集成电路结构,设置在所述封装基板的上表面上,其包括第一重布线层、设于该重布线层上的电子集成电路芯片以及绝缘材料层,其中所述绝缘材料层包括:底填胶,位于所述电子集成电路芯片的上表面,以及塑封层,仅围绕在所述电子集成电路芯片的侧面及所述底填胶的侧面; 光子集成电路芯片,设置在所述电子集成电路结构的上表面上方,其包括设置在所述光子集成电路芯片的下表面的边缘耦合器;以及 光耦合保护结构,位于所述光子集成电路芯片的下方,其顶部与所述光子集成电路芯片的下表面接触,底部与所述第一重布线层接触,以构成朝向远离所述电子集成电路结构的第一侧面开口的空腔, 所述边缘耦合器从该光耦合保护结构的顶部向侧方凸出,在所述空腔中呈悬空状态,所述光耦合保护结构将所述边缘耦合器与所述绝缘材料层阻隔开以免所述边缘耦合器的耦合界面受绝缘材料的污染。
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