重庆云潼科技有限公司李俊辉获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆云潼科技有限公司申请的专利一种功率管结电容测试电路及装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224066896U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520208540.2，技术领域涉及：G01R27/26；该实用新型一种功率管结电容测试电路及装置是由李俊辉;廖光朝;张小兵;胡绍国设计研发完成，并于2025-02-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种功率管结电容测试电路及装置在说明书摘要公布了：本实用新型涉及电子电路技术领域，尤其涉及一种功率管结电容测试电路及装置。包括测试电源、漏源电容切换支路、栅极电容切换支路、第一切换支路和第二切换支路；漏源电容切换支路包括串联的第一开关和第三电容，栅极电容切换支路用于选择被测MOS管的栅极与外部测试装置的第一接口之间的电路上是否串联接有第二电容；第一切换支路包括串联的第三开关和第一电容；第二切换支路用于切换控制外部测试装置的第二接口和第三接口与被测MOS管的源极是否连接。在同一个测试电路中，通过开关的切换，实现测试功率管的不同结电容时需要的电路，克服了现有技术中需要PCB电路板来实现功能的这一缺陷，具有成本低、效率高、耗时短的特点。
本实用新型一种功率管结电容测试电路及装置在权利要求书中公布了：1.一种功率管结电容测试电路，其特征在于：包括测试电源、漏源电容切换支路、栅极电容切换支路、第一切换支路和第二切换支路； 所述测试电源的正极与被测MOS管的漏极电连接，测试电源的负极与被测MOS管的源极电连接； 所述漏源电容切换支路包括串联的第一开关和第三电容，所述被测MOS管的漏极和源极与漏源电容切换支路的两端连接； 所述栅极电容切换支路用于选择被测MOS管的栅极与外部测试装置的第一接口之间的电路上是否串联接有第二电容，还用于控制被测MOS管的栅极和源极是否连接； 所述第一切换支路包括串联的第三开关和第一电容，所述被测MOS管的漏极通过第一切换支路的两端与外部测试装置的第二接口连接； 所述第二切换支路用于切换控制外部测试装置的第二接口和第三接口与被测MOS管的源极是否连接。
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