重庆移通学院关正伟获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆移通学院申请的专利一种制备半导体纳米材料的有机气相沉积装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224062887U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520807143.7，技术领域涉及：C23C16/44；该实用新型一种制备半导体纳米材料的有机气相沉积装置是由关正伟;党晓圆;黄娜;马冬梅设计研发完成，并于2025-04-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种制备半导体纳米材料的有机气相沉积装置在说明书摘要公布了：本实用新型属于半导体制造技术领域，尤其是涉及一种制备半导体纳米材料的有机气相沉积装置。技术包括沉积室以及设于沉积室内的气体喷淋机构和沉积托盘，所述气体喷淋机构包括均气座、安装环、安装孔、第一排气孔、支撑台阶和均气板，均气座的纵向截面呈U字形，在均气座的底部开设有多个第一排气孔，在均气座的中部内壁上形成有支撑台阶，在支撑台阶上支撑有均气板，在均气板上开设有多个第二排气孔，均气座的顶部边缘向外延伸安装环，在安装环上开设多个安装孔，均气座通过安装孔内的螺栓和沉积室固定连接。有效降低了沉积室内气流流速，使得工件在沉积时固定牢靠，而且两种反应气体混合更均匀，沉积后的薄膜均匀，产品的良品率高。
本实用新型一种制备半导体纳米材料的有机气相沉积装置在权利要求书中公布了：1.一种制备半导体纳米材料的有机气相沉积装置，包括沉积室1以及设于沉积室1内的气体喷淋机构4和沉积托盘6，其特征在于：所述气体喷淋机构4固定于所述沉积室1的上侧内壁，所述沉积托盘6设于气体喷淋机构4的正下方，在沉积室1的底部固定有旋转机构5，所述旋转机构5的旋转轴伸入沉积室1内并与沉积托盘6的底部中心相连接； 所述气体喷淋机构4包括均气座401、安装环402、安装孔403、第一排气孔404、支撑台阶405和均气板406，均气座401的纵向截面呈U字形，在均气座401的底部开设有多个第一排气孔404，在均气座401的中部内壁上形成有支撑台阶405，在支撑台阶405上支撑有均气板406，在均气板406上开设有多个第二排气孔407，均气座401的顶部边缘向外延伸安装环402，在安装环402上开设多个安装孔403，均气座401通过安装孔403内的螺栓和沉积室1固定连接。
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