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龙图腾网获悉深圳天狼芯半导体有限公司申请的专利金属氧化物半导体场效应管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121586279B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610108045.3，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权金属氧化物半导体场效应管及其制备方法是由吕海涛设计研发完成，并于2026-01-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本金属氧化物半导体场效应管及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种金属氧化物半导体场效应管及其制备方法，金属氧化物半导体场效应管包括至少一个元胞结构；元胞结构包括：衬底；漂移区，具有第一导电类型；第一阱区，具有第二导电类型；JFET区；第二阱区，具有第二导电类型；屏蔽层，位于JFET区远离漂移区的一侧，具有第二导电类型；栅极，覆盖第一阱区远离漂移区一侧的部分表面、第二阱区远离漂移区一侧的部分表面和屏蔽层；源极金属层，覆盖第一阱区远离漂移区一侧的剩余表面、第二阱区远离漂移区一侧的剩余表面和栅极；导电接触结构，沿垂直于衬底的方向贯穿栅极，且分别与屏蔽层和源极金属层连接。本申请提供的金属氧化物半导体场效应管在关断过程中误导通风险低，可以实现零压关断。

本发明授权金属氧化物半导体场效应管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种金属氧化物半导体场效应管，其特征在于，包括至少一个元胞结构；所述元胞结构包括： 衬底，具有第一导电类型； 漂移区，位于所述衬底上，具有第一导电类型； 第一阱区，位于所述漂移区远离所述衬底的一侧，具有第二导电类型； JFET区，位于所述漂移区远离所述衬底的一侧，且位于所述第一阱区在第一方向上的一侧，具有第一导电类型；所述第一方向垂直于由衬底指向JFET区的方向； 第二阱区，位于所述漂移区远离所述衬底的一侧，且位于所述JFET区远离所述第一阱区的一侧，具有第二导电类型； 屏蔽层，位于所述JFET区远离所述漂移区的一侧，具有第二导电类型； 栅极，覆盖所述第一阱区远离所述漂移区一侧的部分表面、所述第二阱区远离所述漂移区一侧的部分表面和所述屏蔽层； 源极金属层，覆盖所述第一阱区远离所述漂移区一侧的剩余表面、所述第二阱区远离所述漂移区一侧的剩余表面和所述栅极； 导电接触结构，沿垂直于衬底的方向贯穿所述栅极，且分别与所述屏蔽层和所述源极金属层连接。

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