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龙图腾网获悉安建科技(深圳)有限公司申请的专利一体式场板结构的功率半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121568420B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610062610.7，技术领域涉及：H10D64/00；该发明授权一体式场板结构的功率半导体器件及其制造方法是由梁嘉进;陈晓良;高健智;单建安设计研发完成，并于2026-01-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一体式场板结构的功率半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：一体式场板结构的功率半导体器件及其制造方法，本发明涉及于功率半导体器件，为解决多层独立场板带来的制作工艺复杂，成本高的问题，本发明采用一体式单场板，配合第一阶梯状沟槽和第二阶梯状沟槽，有利于降低栅极与漏极间、栅极与源极间的电场尖峰，使电场分布更平均，提高器件的击穿电压和可靠性。此外，本发明提供一种具有一体式场板结构的器件制造方法，只需要进行一次光刻和场板沉积步骤，可以形成具有三层不同高度的一体式场板，有利于减少工艺步骤，降低生产成本。

本发明授权一体式场板结构的功率半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一体式场板结构的功率半导体器件，所述的功率半导体器件包括有位于底部的衬底层200，位于衬底层200上方的缓冲层201，位于缓冲层201之上的沟道层202，位于沟道层202之上的势垒层203，位于势垒层203上方的第一源极金属层206、栅极结构204、第一漏极金属层207以及第一介质层210，位于第一介质层210上方的第三介质层212，所述的第一源极金属层206上方设有源极接触沟槽217，所述的第一漏极金属层207上方设有漏极接触沟槽216，其特征在于，所述的第一介质层210上方、位于栅极结构204与第一漏极金属层207之间的第三介质层212内形成有一条以上的第一沟槽220和第二沟槽221，其中第一沟槽220较第二沟槽221靠近栅极结构204，所述的第二沟槽221内底部设有第二介质层211；第三介质层212上表面高度H3高于第二介质层211上表面高度H2，第二介质层211上表面高度H2高于第一介质层210上表面高度H1； 所述的源极接触沟槽217以及部分的第一介质层210上方形成有第三沟槽222，所述的源极接触沟槽217和第三沟槽222组合形成第一阶梯状沟槽； 所述的漏极接触沟槽216以及部分的第一介质层210上方形成有第四沟槽223，所述的漏极接触沟槽216和第四沟槽223组合形成第二阶梯状沟槽； 第三介质层212上方还设有相隔的一体式场板232和第二漏极金属层242，所述的一体式场板232向下填充到第一阶梯状沟槽、第一沟槽220和第二沟槽221，所述的第二漏极金属层242向下填充到第二阶梯状沟槽； 第二沟槽221的开口宽度W2比第一沟槽220的开口宽度W1窄,第二沟槽221的开口宽度W2方向为第一方向，第一沟槽220沿第一方向延伸。

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