中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所张晓东获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所申请的专利多光谱可区分式光电探测芯片、其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121531800B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610049445.1，技术领域涉及：H10F30/21；该发明授权多光谱可区分式光电探测芯片、其制备方法与应用是由张晓东;陈体威;崔晨;时文华;曾中明;张宝顺设计研发完成，并于2026-01-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本多光谱可区分式光电探测芯片、其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明提供了一种多光谱可区分式光电探测芯片、其制备方法与应用。所述芯片包括：副集电层、集电层、第一、第二间隔层、红外吸收层、电子阻挡层、接触层、透光键合层、紫外反射层及紫外吸收层；第一电极，与副集电层电连接；第二电极与接触层电性接触；第三电极与紫外吸收层电性接触；副集电层、集电层及第一间隔层均为第一导电类型，第二间隔层、红外吸收层、电子阻挡层及接触层均为第二导电类型，透光键合层具有电气绝缘特性；并且，第一间隔层的掺杂浓度比集电层低至少一个数量级，比第二间隔层低至少两个数量级。本发明解决了现有方案面临的需低温制冷、工艺复杂、材料兼容性差、光谱区分性差、性能不均衡和集成度低等问题。
本发明授权多光谱可区分式光电探测芯片、其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种多光谱可区分式光电探测芯片，其特征在于，包括： 沿指定方向依次设置的InP副集电层、InP集电层、InzGa1-zAs第一间隔层、InzGa1-zAs第二间隔层、红外吸收层、InxGa1-xAsyP1-y电子阻挡层、InzGa1-zAs接触层、透光键合层、紫外反射层及紫外吸收层，x和z均≥0.05，且各层中的x、y、z均为独立取值； 第一电极，与所述副集电层电连接； 第二电极，与所述接触层电性接触； 第三电极，包含阳极和阴极，分别与所述紫外吸收层的不同区域电性接触； 其中，所述副集电层、集电层及第一间隔层均为第一导电类型，所述第二间隔层、红外吸收层、电子阻挡层及接触层均为第二导电类型，所述透光键合层具有电气绝缘特性； 并且，所述第一间隔层的掺杂浓度比所述集电层的掺杂浓度低至少一个数量级，比所述第二间隔层的掺杂浓度低至少两个数量级。
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