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龙图腾网获悉中天电子材料有限公司申请的专利聚酰亚胺复合膜的制备方法及聚酰亚胺复合膜获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121449941B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202512021338.6，技术领域涉及：C08J5/18；该发明授权聚酰亚胺复合膜的制备方法及聚酰亚胺复合膜是由朱凡;高炜琳;钱景卫;曹义;宗奕扬;李陆林设计研发完成，并于2025-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本聚酰亚胺复合膜的制备方法及聚酰亚胺复合膜在说明书摘要公布了：本申请提供一种聚酰亚胺复合膜的制备方法及聚酰亚胺复合膜，聚酰亚胺复合膜的制备方法包括如下步骤：提供可形成热塑性聚酰亚胺的第一聚酰胺酸，所述第一聚酰胺酸以羰基咪唑封端；提供可形成非热塑性聚酰亚胺的第二聚酰胺酸，所述第二聚酰胺酸以酐基封端；将所述第一聚酰胺酸和所述第二聚酰胺酸共挤及环化，获得聚酰亚胺复合膜，所述聚酰亚胺复合膜具有所述羰基咪唑与所述第二聚酰胺酸中的羧基反应生成的酰胺基团。

本发明授权聚酰亚胺复合膜的制备方法及聚酰亚胺复合膜在权利要求书中公布了：1.一种聚酰亚胺复合膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 提供可形成热塑性聚酰亚胺的第一聚酰胺酸，所述第一聚酰胺酸以羰基咪唑封端；所述热塑性聚酰亚胺通过羰基咪唑封端的第一聚酰胺酸脱水环化后获得，所述羰基咪唑封端的第一聚酰胺酸的制备方法包括：将第一芳香族二酐、第一芳香族二胺、N-甲酰胺咪唑加入第一极性溶剂中，并在第一温度环境下缩合，所述N-甲酰胺咪唑的制备方法包括：将所述第一芳香族二胺与二咪唑羰基加入第二极性溶剂中，并在第二温度环境下搅拌；所述第一芳香族二胺与所述二咪唑羰基的摩尔比为1:1；所述第一芳香族二酐与所述芳香族二胺和所述N-甲酰胺咪唑之和的摩尔比为0.98至1:1；所述N-甲酰胺咪唑与所述第一芳香族二酐的摩尔比为0.001至0.009:1； 提供可形成非热塑性聚酰亚胺的第二聚酰胺酸，所述第二聚酰胺酸以酐基封端；所述非热塑性聚酰亚胺通过酐基封端的第二聚酰胺酸脱水环化后获得，所述酐基封端的第二聚酰胺酸的制备方法包括：将第二芳香族二酐和第二芳香族二胺加入第三极性溶剂中，并在第三温度环境下缩合；所述第二芳香族二酐与所述第二芳香族二胺的摩尔比为1：0.991至0.999； 将所述第一聚酰胺酸和所述第二聚酰胺酸共挤及环化，获得聚酰亚胺复合膜，所述聚酰亚胺复合膜具有所述羰基咪唑与所述第二聚酰胺酸中的羧基反应生成的酰胺基团。

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