买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉福建慧芯激光科技有限公司申请的专利一种GaAs基低电容高带宽PIN光电二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121442787B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202512048942.8，技术领域涉及：H10F30/223；该发明授权一种GaAs基低电容高带宽PIN光电二极管及其制备方法是由刘哲;吴建国;鄢静舟;陈伟松;张文强;薛婷;林育星;刘硕设计研发完成，并于2025-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种GaAs基低电容高带宽PIN光电二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种GaAs基低电容高带宽PIN光电二极管及其制备方法，涉及半导体技术领域，所述PIN光电二极管包括GaAs衬底、变形生长层、InP基PIN功能层；所述变形生长层用于实现GaAs衬底到InP基PIN功能层的晶格常数过渡；所述InP基PIN功能层包括n型接触层、第一本征层、本征吸收层和窗口层，所述第一本征层中设有离子注入改性区，用于形成高阻区域以缩小器件的有效电学结面积。本发明通过变形生长层实现了GaAs衬底与InP基PIN功能层的异质集成，显著地降低了器件成本，并通过离子注入改性区实现了光敏面积与电学结面积的物理解耦，使器件在保持大光学孔径的同时，显著减小了本征结电容，由此系统性解决了高速PIN‑PD中带宽、响应度、成本三者之间的固有矛盾。

本发明授权一种GaAs基低电容高带宽PIN光电二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种GaAs基低电容高带宽PIN光电二极管，其特征在于： 包括GaAs衬底、变形生长层、位错过滤层和InP基PIN功能层； 所述变形生长层的晶格常数沿生长方向渐变，以实现所述GaAs衬底到所述InP基PIN功能层的晶格常数过渡；所述变形生长层为InAlAs三元合金渐变层或InAlGaAs四元合金渐变层，通过对变形生长层的In、Al和或Ga组分的线性调控，实现晶格常数与禁带宽度的协同渐变； 所述位错过滤层设置于所述变形生长层和InP基PIN功能层之间，用于阻挡变形生长层产生的位错向InP基PIN功能层传递； 所述InP基PIN功能层包括依次层叠的n型接触层、第一本征层、本征吸收层和窗口层，所述第一本征层中设有离子注入改性区，用于形成高阻区域以缩小器件的有效电学结面积；所述InP基PIN功能层还包括设置于所述第一本征层与所述本征吸收层之间的本征渐变层，所述离子注入改性区延伸至所述本征渐变层和本征吸收层中。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人福建慧芯激光科技有限公司，其通讯地址为：362100 福建省泉州市惠安县螺阳镇城南工业区站前路19号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。