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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利硅基锆钛酸铅异质集成的密集波分复用结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121432643B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202512018573.8，技术领域涉及：G02B6/42；该发明授权硅基锆钛酸铅异质集成的密集波分复用结构是由李明;郭帅航;谢毓俊;王鹏设计研发完成，并于2025-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本硅基锆钛酸铅异质集成的密集波分复用结构在说明书摘要公布了：本发明提供了一种硅基锆钛酸铅异质集成的密集波分复用结构，涉及光电集成、光通信领域，可解决如何在单芯片上实现高性能、高集成度密集波分复用系统的技术问题。该结构包括：电芯片、凸点和光芯片；光芯片包括锆钛酸铅器件层和硅器件层，锆钛酸铅器件层包括第一金属过孔、调制器金属电极、锆钛酸铅调制器阵列；硅器件层包括第二金属过孔、探测器金属电极、光电探测器接收阵列；电芯片产生的第一电信号通过凸点和第一金属过孔至调制器金属电极，使锆钛酸铅调制器阵列对输入的待调制光信号进行调制，产生输出光信号；光电探测器接收阵列接收输入的探测光信号后将其转换为第二电信号，第二电信号依次经过第二金属过孔和凸点传输至电芯片进行处理。

本发明授权硅基锆钛酸铅异质集成的密集波分复用结构在权利要求书中公布了：1.一种硅基锆钛酸铅异质集成的密集波分复用结构，其特征在于，所述结构包括： 电芯片101，用于产生第一电信号； 凸点102； 光芯片，通过所述凸点102与所述电芯片101点接触； 所述光芯片包括锆钛酸铅器件层和硅器件层，所述锆钛酸铅器件层包括第一金属过孔202、调制器金属电极203、锆钛酸铅调制器阵列204；所述硅器件层包括第二金属过孔402、探测器金属电极403、光电探测器接收阵列404； 其中，所述锆钛酸铅调制器阵列204为多通道微环调制器阵列；所述多通道微环调制器阵列包括第一直通波导204a和多个微环调制器；其中，所述微环调制器间隔设置于所述第一直通波导204a上方，且所述多个微环调制器的半径彼此不同；所述光电探测器接收阵列404为级联微环探测器阵列； 所述第一电信号依次通过所述凸点102和所述第一金属过孔202传输至所述调制器金属电极203上，以驱动所述锆钛酸铅调制器阵列204对输入的待调制光信号进行调制，产生输出光信号； 所述光电探测器接收阵列404用于接收输入的探测光信号并将所述探测光信号转换为第二电信号，并通过所述探测器金属电极403将所述第二电信号依次经过所述第二金属过孔402和所述凸点102传输至所述电芯片101进行处理。

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