买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉西安卫光科技有限公司;西安微晶微电子有限公司申请的专利挡片组件和化学气相沉积系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121428537B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202512038812.6，技术领域涉及：C23C16/52；该发明授权挡片组件和化学气相沉积系统是由段鹏冲;丁文华;杨文如;陈秋宇;张锦涛;刘英;唐康乐;范欣雨;师小鸥;杨靖婧设计研发完成，并于2025-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本挡片组件和化学气相沉积系统在说明书摘要公布了：本申请提供了一种挡片组件和化学气相沉积系统。该挡片组件包括：至少两个挡片组，分别对应设置于立式炉的至少两个温度不同的装填区内；每一挡片组均包括至少一个挡片；不同挡片组内的挡片的厚度不同；挡片组所在的装填区的温度越高，挡片组内的挡片的厚度越小。本申请能够使得在相同的反应时间内，不同挡片组中，挡片以及挡片上的薄膜厚度之和更加接近，有利于降低不同挡片组中挡片的厚度差，进而能够同步对挡片的厚度监控步骤，同步不同的装填区的更换时间和清洗时间，提高挡片的厚度监控、更换和清洗的效率。本申请的边缘部薄于中间部，本申请具有凸起结构，能够减轻挡片与沉积物发生粘连的情况，便于取出挡片。

本发明授权挡片组件和化学气相沉积系统在权利要求书中公布了：1.一种挡片组件，用于设置于化学气相沉积系统的立式炉内，其特征在于，包括：至少两个挡片组，分别对应设置于所述立式炉的至少两个温度不同的装填区内； 每一所述挡片组均包括至少一个挡片； 不同所述挡片组内的挡片的厚度不同；所述挡片组所在的装填区的温度越高，所述挡片组内的所述挡片的厚度越小； 所述挡片包括层叠的第一牺牲层、第一保护层、衬底、第二保护层和第二牺牲层；所述第一牺牲层、所述第二牺牲层均用于在所述立式炉内生长薄膜之后去除；不同的所述挡片组中挡片的第一牺牲层、第一保护层、衬底、第二保护层和第二牺牲层中的至少一个的厚度不同； 所述挡片具有相对的顶面和底面，所述底面用于朝向所述立式炉的底部；所述挡片包括：中间部和连接于所述中间部的边缘的边缘部；所述边缘部用于部分插入于所述立式炉的侧槽内；所述中间部的底面与所述中间部的顶面的正中间平行设置有第一平面；所述边缘部的顶面比所述中间部的顶面更靠近所述第一平面，所述边缘部的底面与所述中间部的底面交界处齐平；所述边缘部的底面用于部分搭设于所述侧槽的支承部上。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安卫光科技有限公司;西安微晶微电子有限公司，其通讯地址为：710065 陕西省西安市雁塔区电子二路61号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。