福建慧芯激光科技有限公司吴建国获国家专利权
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龙图腾网获悉福建慧芯激光科技有限公司申请的专利一种具有复合式本征区的长波长PIN光电二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121419348B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202512021379.5，技术领域涉及：H10F30/223；该发明授权一种具有复合式本征区的长波长PIN光电二极管及其制备方法是由吴建国;刘哲;鄢静舟;陈伟松;张文强;薛婷;林育星;刘硕设计研发完成，并于2025-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有复合式本征区的长波长PIN光电二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有复合式本征区的长波长PIN光电二极管及其制备方法，涉及半导体技术领域，所述长波长PIN光电二极管包括GaAs衬底、DBR层、变形生长层和吸收层；所述DBR层、变形生长层与吸收层共同构成复合式本征区；所述复合式本征区的光学功能通过所述DBR层对透射过所述吸收层的光进行反射，并与所述吸收层协同，以实现光程倍增；所述复合式本征区的电学功能通过所述DBR层与所述变形生长层共同形成宽阔的耗尽区，以降低结电容。本发明所提供的复合式本征区使得“扩展耗尽区”与“增强光吸收”这两个传统上矛盾的需求得以在不同物理层面分别优化并协同增效，从而在器件物理层面根本性解决了带宽与响应度的长期权衡难题。
本发明授权一种具有复合式本征区的长波长PIN光电二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有复合式本征区的长波长PIN光电二极管，其特征在于： 包括自下而上依次堆叠的GaAs衬底、DBR层、变形生长层和吸收层； 所述DBR层由多对本征未掺杂的AlxGa1-xAsAlyGa1-yAs材料层交替堆叠构成； 所述吸收层与InP晶格匹配，用于吸收目标波长的光； 所述变形生长层为本征未掺杂，其晶格常数沿生长方向渐变，用于衔接所述DBR层与所述吸收层之间的晶格失配； 所述DBR层、所述变形生长层与所述吸收层共同构成复合式本征区；所述复合式本征区的光学功能通过所述DBR层对透射过所述吸收层的光进行反射，并与所述吸收层协同，以实现光程倍增；所述复合式本征区的电学功能通过所述DBR层与所述变形生长层共同形成宽阔的耗尽区，以降低结电容。
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