福建慧芯激光科技有限公司鄢静舟获国家专利权
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龙图腾网获悉福建慧芯激光科技有限公司申请的专利一种多结太阳能电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121419335B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202512021386.5，技术领域涉及：H10F10/142；该发明授权一种多结太阳能电池及其制备方法是由鄢静舟;刘哲;吴建国;陈伟松;张文强;薛婷;林育星;刘硕;糜东林设计研发完成，并于2025-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多结太阳能电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种多结太阳能电池及其制备方法，涉及半导体技术领域，所述多结太阳能电池包括可转移的电池薄膜结构；所述电池薄膜结构包括依次堆叠的光入射层、第一电池单元、渐变缓冲层和第二电池单元；所述第一电池单元的材料体系与GaAs晶格常数匹配；所述第二电池单元的材料体系与InP晶格常数匹配；所述渐变缓冲层由两种不同晶格常数的半导体子层交替堆叠构成，且所述渐变缓冲层的晶格常数从匹配所述第一电池单元渐变至匹配所述第二电池单元。本发明通过可转移的电池薄膜结构与特殊的渐变缓冲层设计，系统性地解决了现有高效率多结太阳能电池的集成难题与成本瓶颈。
本发明授权一种多结太阳能电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种多结太阳能电池，其特征在于： 包括可转移的电池薄膜结构； 所述电池薄膜结构包括依次堆叠的光入射层、第一电池单元、渐变缓冲层和第二电池单元； 所述第一电池单元的材料体系与GaAs晶格常数匹配； 所述第二电池单元的材料体系与InP晶格常数匹配； 所述渐变缓冲层由两种不同晶格常数的半导体子层交替堆叠构成，且所述渐变缓冲层的晶格常数从匹配所述第一电池单元渐变至匹配所述第二电池单元；所述半导体子层包括与所述第一电池单元晶格常数匹配的GaP子层，以及与所述第二电池单元晶格常数匹配的InP子层；所述渐变缓冲层中，各周期的总厚度相等，沿远离所述第一电池单元的方向，不同周期间，所述GaP子层的厚度线性递减，所述InP子层的厚度线性递增。
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