材料科学姑苏实验室黄永丹获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉材料科学姑苏实验室申请的专利基于铁电薄膜晶体管的非易失存储器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121419253B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511999604.6，技术领域涉及：H10B51/30；该发明授权基于铁电薄膜晶体管的非易失存储器及其制备方法是由黄永丹;胡友德;申德振设计研发完成，并于2025-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于铁电薄膜晶体管的非易失存储器及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请实施例涉及一种基于铁电薄膜晶体管的非易失存储器及其制备方法，包括采用等离子体增强原子层沉积PE‑ALD工艺生长异质多层薄膜包括铁电层。采用PE‑ALD工艺外延生长的铁电薄膜晶体管，铁电层的极化状态直接改变晶体管的阈值电压，铁电层剩余极化将维持经过栅压编程和擦除操作后晶体管电学状态，故实现非易失存储。PE‑ALD工艺的热预算相对较低、薄膜结晶质量高且可以实现3D器件集成。
本发明授权基于铁电薄膜晶体管的非易失存储器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于铁电薄膜晶体管的非易失存储器的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 提供衬底，所述衬底包括依次层叠的基底、成核层和有源层； 执行第一原子层沉积工艺，在所述有源层上形成种子层，所述种子层的材料为二元氮化物； 执行第二原子层沉积工艺，在所述种子层上形成铁电层，所述铁电层的材料为三元氮化物；其中，所述执行第二原子层沉积工艺，在所述种子层上形成铁电层，包括：执行多个超循环，直至形成的所述铁电层的厚度达到预期厚度；其中，每个超循环包括：依次执行m个第一子循环和n个第二子循环，分别形成m个第一子层和n个第二子层，m≥1，n≥1；所述第一子层和所述第二子层的材料为二元氮化物，所述第一子层和所述第二子层的材料不同，所述第一子层和所述种子层的材料相同；所述二元氮化物由所述三元氮化物中的元素构成； 执行第三原子层沉积工艺，在所述铁电层上形成盖帽层； 形成至少贯穿所述盖帽层和所述铁电层的源极和漏极； 在所述有源层内形成隔离的有源区； 在所述盖帽层上形成栅极； 在所述源极、所述漏极和所述栅极上形成引线电极； 减薄所述基底，并执行划片工艺。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人材料科学姑苏实验室，其通讯地址为：215000 江苏省苏州市工业园区若水路388号F栋；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励