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龙图腾网获悉无锡中微爱芯电子有限公司申请的专利一种双向的无方向控制的电平移位电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121417880B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511973640.5，技术领域涉及：H03K19/0185；该发明授权一种双向的无方向控制的电平移位电路是由邹林均;李宇恒;唐国洲;任罗伟;陈峰设计研发完成，并于2025-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双向的无方向控制的电平移位电路在说明书摘要公布了：本发明属于集成电路技术领域，特别涉及一种双向的无方向控制的电平移位电路。包括：第一驱动模块，包括PMOS管P1和NMOS管N1；第一电平检测模块，包括比较器CMP1；内部方向控制电路，其输入端用于输入信号A、信号B和信号C，输出端用于输出使能信号EN_A和使能信号EN_B；第二驱动模块，包括PMOS管P2和运算放大器OPA1；第二电平检测模块，包括比较器CMP2~CMP3；本发明利用一个端口的输入低电平低于输出低电平加上锁存端口行为的方式实现无方向控制的双向电平移位；解决双端口都作为输入时的端口冲突问题。

本发明授权一种双向的无方向控制的电平移位电路在权利要求书中公布了：1.一种双向的无方向控制的电平移位电路，其特征在于，包括： 第一驱动模块，包括PMOS管P1和NMOS管N1；所述PMOS管P1的栅端接入偏置电压VBIAS，所述PMOS管P1的源端接入电源VCC1，所述PMOS管P1的漏端接入端口A和所述NMOS管N1的漏端，所述NMOS管N1的栅端接入使能信号EN_A，所述NMOS管N1的源端接地； 第一电平检测模块，包括比较器CMP1；所述比较器CMP1的同相输入端接入端口A，所述比较器CMP1的反相输入端接入基准电压VREF1，所述比较器CMP1的输出端输出信号A； 内部方向控制电路，其输入端用于输入信号A、信号B和信号C，输出端用于输出使能信号EN_A和使能信号EN_B； 第二驱动模块，包括PMOS管P2和运算放大器OPA1；所述PMOS管P2的栅端接入偏置电压VBIAS，所述PMOS管P2的源端接入电源VCC2，所述PMOS管P2的漏端接入所述运算放大器OPA1的输出端和端口B，所述运算放大器OPA1的同相输入端接入基准电压VREF2，所述运算放大器OPA1的反相输入端接入其输出端，所述运算放大器OPA1的控制端接入所述使能信号EN_B； 第二电平检测模块，包括比较器CMP2~CMP3；所述比较器CMP2~CMP3的同相输入端接入端口B，所述比较器CMP2~CMP3的反相输入端分别接入基准电压VREF3~VREF4，所述比较器CMP2~CMP3的输出端分别输出所述信号B和信号C； 所述内部方向控制电路包括： 锁存模块一，其输入端用于输入信号A、信号B和信号C，输出端用于输出锁存信号Q1； 锁存模块二，其输入端用于输入信号A和信号C，输出端用于输出锁存信号Q2； 锁存模块三，其输入端用于输入信号A、信号C和锁存信号Q1~Q2，输出端用于输出锁存信号Q3； 使能模块一，其输入端用于输入信号A、信号B和锁存信号Q1~Q2，输出端用于输出使能信号EN_B； 使能模块二，其输入端用于输入信号B和锁存信号Q1和锁存信号Q3，输出端用于输出使能信号EN_A。

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