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龙图腾网获悉华芯程(杭州)科技有限公司申请的专利基于规则和模型的SRAF图形生成方法、系统及终端获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121411068B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202512002188.4，技术领域涉及：G03F1/38；该发明授权基于规则和模型的SRAF图形生成方法、系统及终端是由请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成，并于2025-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于规则和模型的SRAF图形生成方法、系统及终端在说明书摘要公布了：本申请提供了一种基于规则和模型的SRAF图形生成方法、系统及终端，基于预定义的SRAF插入规则，在光刻掩膜设计版图的每个光刻图案周边插入多个初始SRAF图形，并基于预定义的SRAF清理规则以及基于光刻工艺模型，联合对插入的多个初始SRAF图形进行清理和优化；从而快速、高效、精确生成多个目标SRAF图形，以确保各光刻图案的成像质量，进而确保制作的晶圆乃至集成电路的性能，并有效减少了计算复杂度和计算量，解决了现有SRAF图形生成方法存在的无法兼顾光刻增强效果以及计算效率的技术问题，能够适用于各种复杂的大规模集成电路设计。

本发明授权基于规则和模型的SRAF图形生成方法、系统及终端在权利要求书中公布了：1.一种基于规则和模型的SRAF图形生成方法，其特征在于，包括： 获取光刻掩膜设计版图的多个光刻图案，并基于预定义的SRAF插入规则，生成每个光刻图案的多个初始SRAF图形； 基于预定义的SRAF清理规则，对各初始SRAF图形进行优化，并剔除冗余的SRAF图形，生成所述光刻掩膜设计版图的第一SRAF图形布局； 筛选各初始SRAF图形中的一或多个关键SRAF图形，并基于光刻工艺模型，对各关键SRAF图形进行优化，剔除冗余的SRAF图形，生成所述光刻掩膜设计版图的第二SRAF图形布局； 根据所述第一SRAF图形布局以及所述第二SRAF图形布局，筛选多个目标SRAF图形，并生成所述光刻掩膜设计版图的目标SRAF图形布局，以生成目标光刻掩膜版图； 其中，筛选各初始SRAF图形中的一或多个关键SRAF图形的方式包括：根据所述光刻掩膜设计版图的各光刻图案，筛选一或多个关键光刻图案区域；获取各关键光刻图案区域内的多个初始SRAF图形，并确定为关键SRAF图形；所述关键光刻图案区域包括：所述光刻掩膜设计版图中的孤立光刻图案区域、最小线宽光刻图案区域、密集光刻图案区域、边缘光刻图案区域、拐角光刻图案区域以及混合光刻图案区域； 筛选各目标SRAF图形的方式包括：剔除冗余的多个SRAF图形；保留符合所述SRAF清理规则的多个SRAF图形；保留基于光刻工艺模型优化的多个关键SRAF图形；剔除的多个SRAF图形包括：不符合所述SRAF清理规则的各违例SRAF图形以及光刻效果贡献度小于预设的光刻效果贡献度阈值的多个关键SRAF图形；保留的符合所述SRAF清理规则的多个SRAF图形则包括：原先已符合所述SRAF清理规则的多个初始SRAF图形以及已基于规则优化后的多个初始SRAF图形；保留基于光刻工艺模型优化的多个关键SRAF图形则包括：光刻效果贡献度较大的多个关键SRAF图形以及已基于模型优化后的多个关键SRAF图形。

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