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龙图腾网获悉西安微电子技术研究所申请的专利一种用于3D集成芯片的六面包封方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121398656B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511967905.0，技术领域涉及：H10W74/01；该发明授权一种用于3D集成芯片的六面包封方法是由潘鹏辉;王根旺设计研发完成，并于2025-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于3D集成芯片的六面包封方法在说明书摘要公布了：本发明属于封装集成芯片技术领域，涉及一种用于3D集成芯片的六面包封方法。本发明将若干3D集成芯片贴装在第一晶圆基底上；对若干3D集成芯片进行五面塑封，对塑封晶圆远离第一晶圆基底的一侧的塑封减薄并露出芯片；在露出的芯片的背面刻蚀微通道与歧管通道结构；在塑封晶圆露出的芯片的一侧键合第二晶圆基底；在塑封晶圆具有对外互连结构的一侧进行压膜包封，采用超快激光技术部分去除对外互连结构上的包封，露出对外互连结构；在芯片具有微通道与歧管通道结构的一侧键合密封散热盖板；在塑封晶圆上制备与对外互连结构连接的焊球。简化了集成芯片的对外互连结构，提高了封装工艺效率和可靠性。

本发明授权一种用于3D集成芯片的六面包封方法在权利要求书中公布了：1.一种用于3D集成芯片的六面包封方法，所述3D集成芯片100包括对外互连结构106和若干芯片101，其特征在于，包括以下步骤： S1，将若干所述3D集成芯片100具有所述对外互连结构106的一个面贴装在第一晶圆基底202上； S2，对若干所述3D集成芯片100进行五面塑封，得到塑封晶圆，对所述塑封晶圆远离所述第一晶圆基底202的一侧的塑封进行减薄并露出芯片101； S3，在露出的所述芯片101的背面刻蚀微通道与歧管通道结构401，包括： 在所述露出的所述芯片101的背面光刻制备多层掩膜，所述多层掩膜具体为：采用厚度为50nm的低压化学气相沉积二氧化硅作为保护膜，采用厚度为100nm的物理气相沉积铝层作为硬掩膜，以及采用厚度为10μm的光刻胶作为刻蚀掩膜； 光刻制备多层掩膜后，采用化学试剂腐蚀刻蚀区域的铝层； 铝层腐蚀完毕后，利用深硅刻蚀技术制备嵌入式微通道与歧管通道结构401； 微通道与歧管通道结构401制备完毕后，采用化学清洗和等离子清洗工艺去除多层掩膜； S4，去除所述塑封晶圆的所述第一晶圆基底202，并在所述塑封晶圆露出的所述芯片101的一侧键合第二晶圆基底203； S5，在所述塑封晶圆具有对外互连结构106的一侧进行压膜包封，采用超快激光技术部分去除所述对外互连结构106上的包封，露出对外互连结构106，包括： 在所述塑封晶圆具有对外互连结构106的一侧制备定位标记501； 在所述塑封晶圆具有对外互连结构106的一侧进行压膜包封，塑封材料形成包封膜层601； 对所述包封膜层601进行减薄至目标厚度，露出所述定位标记501； 采用超快激光技术去除所述包封膜层601与所述对外互连结构106对应的部分，露出对外互连结构106； S6，去除所述塑封晶圆的第二晶圆基底203，在所述芯片101具有所述微通道与歧管通道结构401的一侧键合密封散热盖板701； S7，在所述塑封晶圆上制备与所述对外互连结构106连接的焊球801，以所述3D集成芯片100为基本单元切割所述塑封晶圆。

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