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龙图腾网获悉厦门银科启瑞半导体科技有限公司申请的专利一种三结柔性太阳电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121398221B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511975259.2，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种三结柔性太阳电池及其制备方法是由褚克成;叶伟民;刘标煌;卢伟;张银桥;王玉;周珊;谢昆江设计研发完成，并于2025-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种三结柔性太阳电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种三结柔性太阳电池及其制备方法，包括在GaAs衬底上生长倒装三结太阳电池的外延层，所述外延层从衬底起依次包括GaInP顶电池、GaAs中电池和InGaAs底电池；然后在InGaAs底电池表面蒸镀AZO膜，在AZO膜上交替沉积多对Ta2O5层和SiO2层，形成高反射膜；接着将柔性衬底与外延层带有高反射膜的一面永久键合在一起得到键合片；最后进行去除GaAs衬底、制备正面电极和减反射膜，并蚀刻露出部分AZO膜作为背电极，完成太阳电池的制备，本申请通过设计AZO膜和高反射膜组成的背反射模结构，解决了InGaAs底电池对近红外光谱吸收不良的难题。

本发明授权一种三结柔性太阳电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种三结柔性太阳电池的制备方法，其特征在于，包括： 提供一GaAs衬底，在GaAs衬底上生长倒装三结太阳电池的外延层，所述外延层从衬底起依次包括GaInP顶电池、GaAs中电池和InGaAs底电池； 在InGaAs底电池表面蒸镀AZO膜，所述AZO膜蒸镀时的温度为150℃-180℃； 在AZO膜上交替沉积多对Ta2O5层和SiO2层，形成高反射膜，所述AZO膜和高反射膜结合形成背反射膜结构；所述Ta2O5层与SiO2层沉积时的温度为150℃-180℃，所述Ta2O5层的折射率为2.1，厚度为140nm-150nm；所述SiO2层的折射率为1.46，厚度为200nm-210nm；所述Ta2O5层与SiO2层交替堆叠的周期数为6对-8对； 提供一柔性衬底，所述柔性衬底为PI膜，在柔性衬底上蒸镀CrTi层； 在CrTi层上沉积SiO2键合层； 将柔性衬底带有SiO2键合层的一面与高反射膜最外层的SiO2层的表面贴合，并在真空环境下施加温度与压力进行永久键合，得到复合键合片，键合的温度为150℃-180℃； 将键合片进行去除GaAs衬底、制备正面电极和减反射膜，并蚀刻露出部分AZO膜作为背电极，完成太阳电池的制备。

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