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龙图腾网获悉成都信息工程大学申请的专利一种初级降压及上电复位电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121395879B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511954471.0，技术领域涉及：H02M1/00；该发明授权一种初级降压及上电复位电路是由吴秉宸;陈龙;谢东宴;王海时设计研发完成，并于2025-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种初级降压及上电复位电路在说明书摘要公布了：本申请公开了一种初级降压及上电复位电路，属于电源管理技术领域，本申请电路应用于高压输入的集成电路芯片中，用于为系统中优先级较高且对供电要求较高的内部电路提供初级降压电源PRE_VCC，并集成上电复位功能。通过本发明的电路设计，实现了从高压VCC_HV到中压PRE_VCC再到精密电源VCC的两级降压和平滑切换，既保证了系统快速启动，又满足了最终的高精度供电需求。同时集成的上电复位功能在低电压时有效保护系统，防止芯片在电源不足时误动作。满足了整个系统对电源的高性能需求。

本发明授权一种初级降压及上电复位电路在权利要求书中公布了：1.一种初级降压及上电复位电路，其特征在于，所述初级降压及上电复位电路包括：长沟道NMOS器件NLD1、NMOS管NM1、NMOS管NM2、NMOS管NM3、NMOS管NM4、NMOS管NM5、NMOS管NM6、功率NMOS管NLD2、PMOS电流镜管PLD1、PMOS电流镜管PLD2、PMOS电流镜管PLD3、PMOS开关管PMOS1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电容C1、电容C2、施密特触发器和缓冲器，以及高压电源输入端VCC_HV、初级降压输出端PRE_VCC、后级电源输入端VCC、上电复位信号输出端RSTN_POR和电源就绪信号输入端VCC_OK； 所述高压电源输入端VCC_HV经电阻R1后，同时与长沟道NMOS器件NLD1的栅极、NMOS管NM1的漏极相连接，使得长沟道NMOS器件NLD1开启，产生初始电流I_INI； 所述长沟道NMOS器件NLD1的源极连接至电阻R2的上端，所述电阻R2的下端连接至NMOS管NM1的源极，NMOS管NM1的源极接地； 所述长沟道NMOS器件NLD1的漏极与PMOS管PLD1的漏极相连，PMOS管PLD1的栅极和漏极短接构成二极管接法，且PMOS管PLD1、PMOS管PLD2、PMOS管PLD3的栅极相互连接，PMOS管PLD1、PMOS管PLD2、PMOS管PLD3的源极均连接至高压电源输入端VCC_HV，形成电流镜结构，将初始电流I_INI按1：1：1的比例镜像到三个工作支路中； 所述PLD2的漏极连接至NMOS管NM2的漏极，NMOS管NM2、NMOS管NM3、NMOS管NM4串联连接，且均采用二极管接法，NMOS管NM2的源极节点电压定义为驱动电压PRE_VCCDRV；驱动电压PRE_VCCDRV输送至NMOS管NM5的栅极和功率管NLD2的栅极，所述NM5的源极接地，漏极连接至节点VX； 所述PMOS管PLD3的源极连接至电阻R3的上端，R3的下端连接至节点VX；同时节点VX还连接至NMOS管NM6的漏极和施密特触发器的输入端；所述NM6的源极接地，NM6的栅极连接至施密特触发器的输出端；施密特触发器的输出经缓冲器后输出上电复位信号RSTN_POR； 所述功率管NLD2配置为源极跟随器，所述功率管NLD2的漏极连接至高压电源输入端VCC_HV，源极定义为输出节点PRE_VCC，其中，驱动电压PRE_VCCDRV驱动功率管NLD2产生输出电压经输出节点PRE_VCC输出； 输出节点PRE_VCC还连接至PMOS管PMOS1的源极，PMOS管PMOS1的漏极连接至后级电源输入端VCC，栅极连接至控制信号VCC_OK。

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