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龙图腾网获悉无锡芯怀科技有限公司申请的专利一种GaN器件AC仿真方法、装置、设备以及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121389937B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511972360.2，技术领域涉及：G06F30/36；该发明授权一种GaN器件AC仿真方法、装置、设备以及存储介质是由王羽彤;王煜霄;徐金阳;王兆卿设计研发完成，并于2025-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种GaN器件AC仿真方法、装置、设备以及存储介质在说明书摘要公布了：本发明公开了一种GaN器件AC仿真方法、装置、设备以及存储介质，所述方法包括：根据目标GaN器件的栅极仿真电压、漏极仿真电压和源极仿真电压，以及转换系数和训练好的电荷确定模型，确定第一等效电容、第二等效电容和第三等效电容；根据栅极仿真电压、漏极仿真电压、源极仿真电压、第一等效电容、第二等效电容和第三等效电容，确定目标GaN器件的目标栅极电流、目标漏极电流和目标源极电流；根据目标栅极电流、目标漏极电流和目标源极电流，对目标GaN器件对应的原始器件模型进行更新，得到目标器件模型，并根据目标器件模型，基于预设的测试电路，对目标GaN器件进行AC仿真。

本发明授权一种GaN器件AC仿真方法、装置、设备以及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种GaN器件AC仿真方法，其特征在于，包括： 获取目标GaN器件的栅极仿真电压、漏极仿真电压和源极仿真电压； 根据所述栅极仿真电压、所述漏极仿真电压和所述源极仿真电压，基于训练好的电荷确定模型，确定所述目标GaN器件的栅极虚拟电荷和漏极虚拟电荷；所述栅极虚拟电荷为通过所述训练好的电荷确定模型得到的所述目标GaN器件的栅极电荷；所述漏极虚拟电荷为通过所述训练好的电荷确定模型得到的所述目标GaN器件的漏极电荷； 根据所述栅极虚拟电荷、所述漏极虚拟电荷、所述漏极仿真电压、所述源极仿真电压和转换系数，确定第一等效电容、第二等效电容和第三等效电容； 根据所述栅极仿真电压、所述漏极仿真电压、所述源极仿真电压、所述第一等效电容、所述第二等效电容和所述第三等效电容，确定所述目标GaN器件的目标栅极电流、目标漏极电流和目标源极电流； 根据所述目标栅极电流、所述目标漏极电流和所述目标源极电流，对所述目标GaN器件对应的原始器件模型进行更新，得到目标器件模型，并根据所述目标器件模型，基于预设的测试电路，对所述目标GaN器件进行AC仿真； 其中，根据所述栅极虚拟电荷、所述漏极虚拟电荷、所述漏极仿真电压、所述源极仿真电压和转换系数，确定第一等效电容、第二等效电容和第三等效电容，包括： 计算所述栅极虚拟电荷对所述漏极仿真电压的导数，作为第一导数； 根据所述第一导数和转换系数，通过如下公式，确定第一等效电容： ； 其中，CGD表示第一等效电容；qg表示栅极虚拟电荷；表示漏极仿真电压；表示第一导数；表示转换系数； 计算所述栅极虚拟电荷对所述源极仿真电压的导数，作为第二导数； 根据所述第二导数，通过如下公式，得到第二等效电容： ； 其中，CGS表示第二等效电容；表示源极仿真电压；表示第二导数；round表示四舍五入函数； 计算所述漏极虚拟电荷对所述源极仿真电压的导数，作为第三导数； 根据所述第三导数，通过如下公式，得到第三等效电容： ； 其中，CDS表示第三等效电容；qd表示漏极虚拟电荷；表示第三导数。

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