合肥晶合集成电路股份有限公司谢斌根获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121368382B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511935769.7，技术领域涉及：H10W20/42；该发明授权半导体器件及其制作方法是由谢斌根;董宗谕设计研发完成，并于2025-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括：提供衬底，在衬底上形成虚拟栅极以及包围虚拟栅极侧壁的第一层间介质层，去除虚拟栅极，在第一层间介质层内形成第一沟槽；在第一沟槽的侧壁形成牺牲层；在第一沟槽内形成第一金属层；去除部分厚度的第一金属层形成第二沟槽；去除牺牲层，在第一金属层侧壁与第一沟槽侧壁之间形成间隙；形成第二金属层，第二金属层填满间隙与第二沟槽，第二金属层与第一金属层共同构成金属栅极。本发明通过去除部分厚度的第一金属层以去除平坦化造成的残留物，同时形成覆盖第一金属层顶部与侧壁的第二金属层，如此即便第一金属层内还存在有残留物，由于第二金属层的存在也不会发生金属栅极失效的情况。
本发明授权半导体器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供衬底，在所述衬底上形成虚拟栅极以及包围所述虚拟栅极侧壁的第一层间介质层，去除所述虚拟栅极，在所述第一层间介质层内形成第一沟槽； 在所述第一沟槽的侧壁形成牺牲层； 形成第一金属材料层，所述第一金属材料层填满所述第一沟槽并覆盖所述第一层间介质层，对所述第一金属材料层进行平坦化至暴露出所述第一层间介质层和所述牺牲层，形成第一金属层； 去除部分厚度的所述第一金属层，形成第二沟槽； 去除所述牺牲层，在所述第一金属层侧壁与所述第一沟槽侧壁之间形成间隙；以及， 形成第二金属层，所述第二金属层填满所述间隙与所述第二沟槽，所述第二金属层与所述第一金属层共同构成金属栅极；其中，平坦化后的残留物对所述第二金属层的腐蚀速率小于对所述第一金属层的腐蚀速率。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人合肥晶合集成电路股份有限公司，其通讯地址为：230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励