深圳市锦瑞新材料股份有限公司葛秀彬获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市锦瑞新材料股份有限公司申请的专利高深宽比TGV半导体3D封装基板金属薄膜化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121358293B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511909190.3，技术领域涉及：H10W70/05；该发明授权高深宽比TGV半导体3D封装基板金属薄膜化方法是由葛秀彬;刘向力设计研发完成，并于2025-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本高深宽比TGV半导体3D封装基板金属薄膜化方法在说明书摘要公布了：本发明涉及倒装封装技术领域，公开了高深宽比TGV半导体3D封装基板金属薄膜化方法。该方法通过构建耦合聚焦声场、自下而上温度梯度与电化学反应的多物理场环境，利用声流效应强化孔底传质，结合热梯度提升底部反应速率，并基于原位交流阻抗实时调控声场焦点与电流密度，实现无缺陷自底向上填充。该系统包括电解液槽体、热控模块、相控声学换能器阵列、电化学工作站、阻抗监测单元及中央控制单元。本发明显著提升了填充致密性与工艺重复性，适用于深宽比超20:1的极端结构，为高性能芯片3D封装提供关键技术支撑。
本发明授权高深宽比TGV半导体3D封装基板金属薄膜化方法在权利要求书中公布了：1.高深宽比TGV半导体三维封装基板金属薄膜化方法，其特征在于，包括： 提供待处理的具有贯穿玻璃通孔的半导体封装基板，所述贯穿玻璃通孔的内壁上预先沉积有导电种子层； 将所述半导体封装基板置于电解液槽体中，所述基板的导电种子层作为阴极，并使所述基板的底部与热源接触，同时对所述电解液槽体中的电解液进行冷却，从而在所述贯穿玻璃通孔的深度方向上建立自下而上的正温度梯度； 通过部署于所述基板下方的相控声学换能器阵列，在所述贯穿玻璃通孔的底部区域生成聚焦声场； 在所述阴极与部署于所述电解液中的阳极之间施加预设的电化学沉积程序，同时持续维持所述温度梯度并驱动所述聚焦声场，以启动金属在所述贯穿玻璃通孔底部的优先沉积； 在沉积过程中，通过阻抗监测单元实时获取所述贯穿玻璃通孔的交流阻抗特征值，并基于所述交流阻抗特征值计算出金属填充层的实时高度； 根据所述实时高度，通过控制单元同步向上调整所述聚焦声场的焦点位置，并调节所述电化学沉积程序的电流密度参数，直至所述贯穿玻璃通孔被金属完全填充。
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