中南大学徐晖栋获国家专利权
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龙图腾网获悉中南大学申请的专利一种具有多级电容转化的忆容器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121357902B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511922970.1，技术领域涉及：H10D1/62；该发明授权一种具有多级电容转化的忆容器件及其制备方法是由徐晖栋;张磊;朱俊伟;甘博文设计研发完成，并于2025-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有多级电容转化的忆容器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有多级电容转化的忆容器件及其制备方法，属于半导体器件技术领域。该忆容器件具有nn异质结构，包括依次生长在衬底表面上的底电极层、宽禁带n型半导体层、n型金属氧化物半导体层和若干顶电极层。本发明构建的nn异质结构减少了对材料电导性的依赖，增加了忆容器件的材料选择。且本发明的忆容器件通过调节扫描电压的大小和频率可引起忆容器件势垒区宽度的变化，从而实现多级电容转换的记忆功能，解决了两端记忆器件在集成时面临的功耗和串声问题。本发明还提供了一种制备工艺简单且成本低廉，有利于忆容器件批量生产的制备方法。
本发明授权一种具有多级电容转化的忆容器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有多级电容转化的忆容器件，其特征在于：具有nn异质结构，包括依次生长在衬底表面上的底电极层、宽禁带n型半导体层、n型金属氧化物半导体层和若干顶电极层； 所述宽禁带n型氧化物半导体层材料为Ga2O3，厚度为50~100nm； 所述n型金属氧化物半导体层材料为ZnO，厚度为100~200nm； 所述忆容器件在电压幅值为3V~5V范围和频率为30~300kHz范围内，低电容态保持稳定，而高电容态呈阶梯式分布。
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