行至存储科技(苏州)有限公司洪东获国家专利权
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龙图腾网获悉行至存储科技(苏州)有限公司申请的专利基于读验证的多比特智能擦写方法、系统、终端及测试芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121328426B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511862145.7，技术领域涉及：G06F30/33；该发明授权基于读验证的多比特智能擦写方法、系统、终端及测试芯片是由洪东;王明;沈杨设计研发完成，并于2025-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于读验证的多比特智能擦写方法、系统、终端及测试芯片在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于读验证的多比特智能擦写方法、系统、终端及测试芯片，通过响应外部WRITE指令，对目标RRAM单元依次执行集成循环读验证与动态参数调优的擦除及编程操作。在擦除阶段持续监测单元阻态变化，基于智能算法动态优化电压幅值与脉冲时序，确保高阻态精准稳定形成；随后自动转入编程阶段，采用相同闭环控制机制实现低阻态高精度编程操作，并在验证通过后终止指令执行。本发明通过智能擦写方法在电路设计层面有效解决RRAM商业化应用中的关键技术瓶颈，包括存储单元阻值离散性、读操作窗口狭窄、读干扰敏感、编程成功率波动、限流控制精度不足、耐久性退化及数据保持失效等核心问题，显著提升并完善RRAM芯片的阵列一致性和长期可靠性。
本发明授权基于读验证的多比特智能擦写方法、系统、终端及测试芯片在权利要求书中公布了：1.一种基于读验证的多比特智能擦写方法，其特征在于，所述方法包括： 响应来自外部的WRITE指令，对当前RRAM单元执行集成读验证循环与智能参数调整机制的擦除阶段流程； 待擦除阶段完成后，对当前RRAM单元执行集成读验证循环与智能参数调整机制的编程阶段流程，且在编程阶段完成后退出WRITE指令； 在擦除阶段持续监测单元阻态变化，基于智能算法动态优化电压幅值与脉冲时序，确保高阻态精准稳定形成；随后自动转入编程阶段，采用相同闭环控制机制实现低阻态高精度编程操作，并在验证通过后终止指令执行。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人行至存储科技(苏州)有限公司，其通讯地址为：215000 江苏省苏州市中国(江苏)自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区3幢310-15工位；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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