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龙图腾网获悉浙江日拓电子股份有限公司申请的专利一种半导体器件测试探针及其半导体器件测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121324882B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511870648.9，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种半导体器件测试探针及其半导体器件测试方法是由朱林;朱力;潘玲芳;屠美凤设计研发完成，并于2025-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件测试探针及其半导体器件测试方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体器件的测试及其测试探针技术领域，具体涉及一种半导体器件测试探针及其半导体器件测试方法。本发明首先在每个测试监测时刻，获取测试探针的接触稳定系数，进一步确定其预设历史测试时段内每种异常接触类型下的所有异常接触时刻，进而根据异常接触类型的总数量与接触稳定系数，以及不同异常接触类型下异常接触时刻的预设时域内接触电阻的变化分布，获取测试探针的压力施加异常系数并调整施加压力。本发明通过分析接触电阻的变化特征评估接触状态，进而评估测试探针的施加压力异常情况，以调整施加压力，从而确保测试探针与器件测试点之间的良好接触，提高半导体器件的测试准确性。

本发明授权一种半导体器件测试探针及其半导体器件测试方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件测试探针的半导体器件测试方法，其特征在于，所述方法包括： 在半导体器件测试过程中，实时采集测试探针与器件测试点之间的接触电阻，获取测试探针在每个测试监测时刻下的施加压力； 在每个测试监测时刻，根据其预设历史测试时段内的所有历史采集时刻下接触电阻的分布集中特征，获取其预设历史测试时段内的所有疑似异常接触时刻，以及测试探针的接触稳定系数，并根据每个疑似异常接触时刻的接触电阻及其预设时域内接触电阻的变化特征，从所有疑似异常接触时刻中确定每种异常接触类型下的所有异常接触时刻； 在每个测试监测时刻的预设历史测试时段内，根据异常接触类型的总数量，以及每种异常接触类型下异常接触时刻的预设时域内接触电阻的变化特征的分布情况，并结合接触稳定系数，获取每个测试监测时刻下测试探针的压力施加异常系数； 在每个测试监测时刻，根据测试探针的压力施加异常系数调整测试探针的施加压力； 所述疑似异常接触时刻的获取方法包括： 预设历史测试时段为每个测试监测时刻与上一相邻测试监测时刻之间对应时段；在每个测试监测时刻，根据其预设历史测试时段内所有历史采集时刻下所述接触电阻的波动特征，确定所有待分析接触电阻，并将所有待分析接触电阻进行密度聚类，获取所有聚簇； 将密度最大的聚簇作为目标聚簇，将目标聚簇外的其余聚簇内的所有所述待分析接触电阻对应历史采集时刻作为疑似异常接触时刻； 所述接触稳定系数的获取方法包括： 将密度第二大的聚簇作为参考聚簇，将目标聚簇的密度减去参考聚簇的密度后的差值映射到sigmoid函数中，得到密度偏差参数；将目标聚簇内待分析接触电阻的总数量减去参考聚簇内待分析接触电阻的总数量后的差值，映射到sigmoid函数中，得到数量偏差参数；将密度偏差参数与数量偏差参数相乘，得到测试探针的接触稳定系数； 所述压力施加异常系数的获取方法包括： 将接触稳定系数映射到以自然常数e为底数的指数函数exp-x中，将所述接触稳定系数的负相关映射结果与异常接触类型的总数量相乘，获取第一异常参数； 对于每种异常接触类型，将其对应所有异常接触时刻下的阻值回落特征参数的变异系数，映射到以自然常数e为底数的指数函数exp-x中；然后分别获取目标聚簇中待分析接触电阻的频数分布直方图，以及每种异常接触类型下异常接触时刻对应待分析接触电阻的频数分布直方图，并拟合每个频数分布直方图对应的频数分布变化曲线，频数分布变化曲线中每个数据点为待分析接触电阻的频数；进一步计算目标聚簇与每种异常接触类型对应频数分布变化曲线之间的DTW相似度；对于每种异常接触类型，将变异系数的映射结果与DTW相似度相乘，将所有异常接触类型下对应的乘积进行累加，将累加和作为第二异常参数； 融合所述第一异常参数及所述第二异常参数，得到压力施加异常系数。

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