浙江晶越半导体有限公司高冰获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江晶越半导体有限公司申请的专利一种碳化硅衬底的清洗方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121310870B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511881819.8，技术领域涉及：H10P70/00；该发明授权一种碳化硅衬底的清洗方法是由高冰;金灵敏设计研发完成，并于2025-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碳化硅衬底的清洗方法在说明书摘要公布了：本发明涉及碳化硅半导体材料制备技术领域，尤其涉及一种碳化硅衬底的清洗方法，包括以下步骤：S.1将待清洗的碳化硅衬底置于密闭清洗腔体内；S.2通过等离子体对衬底表面进行活化；S.3向腔体内通入含有氨基改性石墨烯量子点的气流，使所述量子点捕获表面杂质；S.4采用脉冲式能量源照射所述衬底表面，以使吸附了杂质的量子点从衬底表面脱附；S.5通入吹扫气体，将脱附的量子点和杂质排出所述腔体。本申请通过“等离子体活化‑纳米吸附‑脉冲激光脱附”的原位三步法协同作用，实现了对8英寸等大尺寸衬底表面杂质的高效且均匀的去除，有效解决了边缘与中心区域的清洗一致性问题。
本发明授权一种碳化硅衬底的清洗方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅衬底的清洗方法，其特征在于，包括以下步骤： S.1将待清洗的碳化硅衬底置于密闭清洗腔体内； S.2向密闭清洗腔体内通入工艺气体，并激发产生等离子体，对所述衬底表面进行活化； S.3向所述腔体内通入含有氨基改性石墨烯量子点的气流，使所述量子点吸附在活化后的衬底表面，以捕获表面杂质； S.4采用脉冲式能量源照射所述衬底表面，同时使能量束与衬底表面之间产生二维相对运动，以使吸附了杂质的量子点从衬底表面脱附； S.5通入吹扫气体，将脱附的量子点和杂质排出所述腔体。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人浙江晶越半导体有限公司，其通讯地址为：312400 浙江省绍兴市嵊州市浦口街道浦南大道368号9号厂房二楼202室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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