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龙图腾网获悉广东工业大学申请的专利一种实现金属-半导体隧穿肖特基结的肖特基晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121310605B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511871625.X，技术领域涉及：H10D30/87；该发明授权一种实现金属-半导体隧穿肖特基结的肖特基晶体管及其制备方法是由招瑜;郑咫柔;盛芸玮设计研发完成，并于2025-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种实现金属-半导体隧穿肖特基结的肖特基晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种实现金属‑半导体隧穿肖特基结的肖特基晶体管及其制备方法，属于半导体电子器件技术领域。本发明利用耗尽层宽度与隧穿强度呈指数反比的特性，通过构建金属与半导体之间的肖特基接触和欧姆接触，并通过外在物理手段获得物理厚度极薄的半导体材料限制耗尽层的宽度，并施加栅极电压调制发生肖特基接触的金属‑半导体肖特基结的肖特基势垒的宽度，实现电子从半导体材料到金属材料的隧穿效应。通过栅极电压动态调制金属‑半导体界面的势垒宽度，从而精确控制隧穿电流优势。

本发明授权一种实现金属-半导体隧穿肖特基结的肖特基晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种实现金属-半导体隧穿肖特基结的肖特基晶体管，其特征在于，从下到上依次包括：绝缘衬底、第一金属电极、n型半导体材料、第二金属电极、顶栅绝缘层材料和顶栅电极； 所述第一金属电极与所述n型半导体材料形成肖特基接触；所述第二金属电极与所述n型半导体材料形成欧姆接触；所述n型半导体材料的厚度为纳米或亚纳米级； 所述n型半导体材料的厚度为6.6nm； 所述第一金属电极的金属功函数大于所述n型半导体材料的功函数； 所述第二金属电极的金属功函数小于所述n型半导体材料的功函数； 所述第一金属电极选自金； 所述n型半导体材料为MoS2； 所述第二金属电极选自钛； 所述实现金属-半导体隧穿肖特基结的肖特基晶体管的制备方法，包括以下步骤：通过第一次光刻工艺在衬底A上制备第一金属电极图案，按照所述第一金属电极图案在所述衬底A上沉积第一金属电极材料，剥离衬底A上多余的光刻胶，第一次退火后，得到第一金属电极；将n型半导体材料进行剥离，在衬底B上获得纳米或亚纳米级别均匀厚度的n型半导体材料，将所述n型半导体材料转移到所述第一金属电极上；通过第二次光刻工艺在所述n型半导体材料上制备第二金属电极图案；按照所述第二金属电极图案在所述n型半导体材料上沉积第二金属电极材料，剥离衬底A上多余的光刻胶，第二次退火后，得到第二金属电极；将顶栅绝缘层材料进行剥离，在衬底C上制得均匀厚度的顶栅绝缘层材料，将所述顶栅绝缘层材料转移到衬底A上；通过第三次光刻工艺在顶栅绝缘层材料上制备顶栅电极图案，按照所述顶栅电极图案在所述顶栅绝缘层材料上沉积顶栅电极材料，剥离衬底A上多余的光刻胶，第三次退火后，得到所述实现金属-半导体隧穿肖特基结的肖特基晶体管。

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