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龙图腾网获悉厦门银科启瑞半导体科技有限公司申请的专利一种LED外延片的光电参数测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121299406B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511871239.0，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种LED外延片的光电参数测试方法是由张银桥;周珊;吴志鹏;曾世煜;叶芊芊;王建红设计研发完成，并于2025-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种LED外延片的光电参数测试方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种LED外延片的光电参数测试方法，涉及光电测试技术领域，采用微纳分级花椰菜状织构的掺硼纳米晶金刚石复合探针接触LED外延片进行电学参数测试；探针的制备方法包括以下步骤：基体锐化处理、梯度缓冲层沉积与碳注入锁定、静电吸附植种、脉冲调制MPCVD生长、原位氟化封端后处理。本发明通过采用结构优化与表面改性的复合探针，实现了低损伤、高稳定的电学接触，解决了探针在高频测试中的热剥落与杂质粘附问题，显著延长了探针寿命，提升了测试数据的准确性与良率分级的一致性。

本发明授权一种LED外延片的光电参数测试方法在权利要求书中公布了：1.一种LED外延片的光电参数测试方法，其特征在于，采用微纳分级花椰菜状织构的掺硼纳米晶金刚石复合探针接触LED外延片进行电学参数测试； 探针的制备方法包括以下步骤： S1、基体锐化处理：选取钨铼丝作为基体，通过电化学腐蚀工艺进行锐化处理，获得微米级曲率半径的针尖； S2、梯度缓冲层沉积与碳注入锁定：利用含钒的TiTiC复相靶材，在针尖表面通过反应磁控溅射工艺，在含氮气氛中沉积梯度过渡层，随后将探针置于真空炉中进行高温碳原子注入处理，形成超固溶扩散层； S3、静电吸附植种：将经过S2处理的探针浸入Zeta电位调控型单分散形核液中，利用电场辅助进行静电吸附，在梯度过渡层表面形成单层致密金刚石晶种层； S4、脉冲调制MPCVD生长：在晶种层表面进行微波等离子体化学气相沉积，通过气体脉冲与偏压脉冲同步的共振耦合偏压调制机制，生长具有微纳分级花椰菜状织构的掺硼金刚石层，生长过程包括同步施加的气体脉冲与偏压脉冲； S5、原位氟化封端后处理：生长结束后，在高温环境下通入含氟气体对探针表面进行原位化学修饰，降低表面能； S2中的含钒的TiTiC复相靶材包括以下重量百分比的原料：70.0%的钛粉、25.0%的碳化钛粉和5.0%的金属钒粉； 钛粉的粒径为45~75μm，碳化钛粉的粒径为1~3μm，金属钒粉的粒径小于10μm； S2中梯度缓冲层沉积的具体工艺为：基底加热至300℃，首先通入40sccm氩气，设定直流功率为300W，溅射处理10min以形成底层强结合区；随后进入梯度过渡期，功率由300W线性降至100W，同时氮气流量由0线性增至10sccm，处理时间为20min； S2中高温碳原子注入处理的具体工艺为：通入乙炔，升温至1100℃，保温反应30min，在此条件下形成碳原子扩散层； S4中脉冲调制MPCVD生长的具体工艺包括偏压形核阶段和脉冲织构生长阶段； 偏压形核阶段设定参数为：比例为98:2，气压2666Pa，功率800W，针尖偏压-200V，处理15min； 脉冲织构生长阶段设定参数为：含硼载气体积流量比为95:4:1，其中含硼载气是通过流量为1个单位的氢气在15℃恒温下经过液态硼酸三甲酯鼓泡获得，气压6666Pa，温度850℃，总时长4h； 在脉冲织构生长阶段执行共振耦合偏压调制机制：每生长5min，将甲烷浓度瞬时提升至8%并维持30s，在此30s内同步叠加频率为1kHz、占空比为20%、峰值为-150V的脉冲偏压。

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