深圳市美浦森半导体有限公司冯海科获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉深圳市美浦森半导体有限公司申请的专利一种基于SiC的MOS结构晶体管性能检测方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121299405B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511854745.9，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种基于SiC的MOS结构晶体管性能检测方法及系统是由冯海科;何昌;李俊峰;师云鹏设计研发完成，并于2025-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于SiC的MOS结构晶体管性能检测方法及系统在说明书摘要公布了：本发明涉及晶体管性能检测技术领域，一种基于SiC的MOS结构晶体管性能检测方法及系统，包括：利用晶体管性能检测单元及热成像单元对测试晶体管进行性能检测，得到测试晶体管性能参数组集及晶体管热分布图像序集，基于晶体管热分布图像序集及测试晶体管性能参数组集对晶体管性能指标组进行筛选，得到检测性能指标组及预测性能指标组，利用检测性能指标组、预测性能指标组及晶体管热分布图像序集进行神经网络训练，得到晶体管性能预测模型测。本发明可提高晶体管性能检测的效率，降低对精密检测设备的依赖。
本发明授权一种基于SiC的MOS结构晶体管性能检测方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种基于SiC的MOS结构晶体管性能检测方法，其特征在于，所述方法包括： 构建晶体管性能检测单元及热成像单元，其中，热成像单元包括：LED光源、超窄脉冲电流源、时延发生器、脉冲信号源及相机模组； 利用预设的晶体管性能指标组、晶体管性能检测单元及热成像单元对预构建的测试晶体管进行性能检测，得到测试晶体管性能参数组集及补偿晶体管热成像数据集； 对补偿晶体管热成像数据集进行热成像补偿，得到晶体管热分布图像序集，其中，晶体管热分布图像序集包括多个晶体管热分布图像； 基于晶体管热分布图像序集及测试晶体管性能参数组集对晶体管性能指标组进行筛选，得到检测性能指标组及预测性能指标组； 根据检测性能指标组及预测性能指标组对测试晶体管性能参数组集进行划分，得到检测性能参数组集及预测性能参数组集； 利用检测性能参数组集、预测性能参数组集及晶体管热分布图像序集进行神经网络训练，得到晶体管性能预测模型，完成基于SiC的MOS结构晶体管性能检测。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市美浦森半导体有限公司，其通讯地址为：518101 广东省深圳市宝安区西乡街道劳动社区西乡大道和宝源路交汇处中央大道D座16A；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励