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龙图腾网获悉成都信息工程大学申请的专利用于功率开关的检测系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121276314B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511841902.2，技术领域涉及：G01R31/327；该发明授权用于功率开关的检测系统是由谢东宴;彭映杰;谭菲菲;王海时设计研发完成，并于2025-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于功率开关的检测系统在说明书摘要公布了：本申请公开了一种用于功率开关的检测系统。所述检测系统包括：偏置电路、运算放大器、采样MOSFET、电容器和电流镜电路。所述检测系统无需采用单片集成或者定制功率管，精准地提供与流经所需检测的功率开关等比例的电流，以供系统执行采样、保护等功能。

本发明授权用于功率开关的检测系统在权利要求书中公布了：1.一种用于功率开关的检测系统，用于检测流过功率开关的电流，所述功率开关的第一端耦接至电源轨，第二端耦接至负载，其特征在于，所述检测系统包括： 偏置电路，耦接在电源轨和参考地之间，提供偏置电压； 运算放大器，具有同相输入端、反相输入端和输出端，其同相输入端耦接至功率开关的第二端，以接收功率开关第二端的电压，其反相输入端通过采样电阻耦接至电源轨； 采样MOSFET，具有栅极、源极和漏极，其源极耦接至运算放大器的反相输入端，其栅极耦接至运算放大器的输出端； 电容器，耦接在运算放大器的输出端和偏置电压之间； 电流镜电路，具有电流流入部分和电流流出部分，所述电流流入部分耦接在采样MOSFET的漏极和偏置电路之间，以接收流过采样MOSFET和采样电阻的电流；其电流流出部分耦接在电源轨和所述检测系统的输出端之间，以提供检测电流；其中： 所述电源轨给运算放大器提供正参考电压，所述偏置电压给运算放大器提供负参考电压； 所述偏置电路包括：第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第一电容、第一NPN三极管、第二NPN三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第一P型横向扩散MOS管；其中： 第一NMOS管的栅极耦接至第二NMOS管的栅极、漏极以及第一PMOS管的漏极； 第一NMOS管的漏极耦接至电源轨； 第一NMOS管的源极耦接至第二NMOS管的源极、第一电阻的一端、第四电阻的一端、第五电阻的一端以及第一P型横向扩散MOS管的栅极； 第一PMOS管的栅极耦接至第二PMOS管的漏极、第一NPN三极管的集电极以及第一电容的一端； 第一PMOS管的源极耦接至电源轨； 第二PMOS管的栅极耦接至第三PMOS管的栅极、漏极以及第二NPN三极管的集电极； 第二PMOS管的源极耦接至电源轨； 第一NPN三极管的基极耦接至第二NPN三极管的基极、第三电阻的一端以及第四电阻的另一端； 第一NPN三极管的发射极耦接至第一电阻的另一端和第二电阻的一端； 第二NPN三极管的发射极耦接至第二电阻的另一端； 第三电阻的另一端耦接至电源轨； 第五电阻的另一端耦接至参考地； 第一P型横向扩散MOS管的漏极耦接至参考地； 第一P型横向扩散MOS管的源极提供所述偏置电压。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人成都信息工程大学，其通讯地址为：610225 四川省成都市双流区西南航空港经济开发区学府路一段24号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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