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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利基于太赫兹时域光谱的载流子浓度检测方法、系统及介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121275680B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511843189.5，技术领域涉及：G01N21/3586；该发明授权基于太赫兹时域光谱的载流子浓度检测方法、系统及介质是由彭栋志;张倬铖;胡旻;唐福;张艺馨设计研发完成，并于2025-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于太赫兹时域光谱的载流子浓度检测方法、系统及介质在说明书摘要公布了：本发明提供了一种基于太赫兹时域光谱的载流子浓度检测方法、系统及介质，方法包括以下步骤：获取待测样品的反射时域信号；所述反射时域信号的第一个反射峰经傅里叶变换，得到第一幅值和或第一相位；所述反射时域信号的第二个反射峰经傅里叶变换，得到第二幅值和或第二相位；根据所述第一幅值、第二幅值、第一反射模型，或者根据所述第一相位、第二相位、第二反射模型，求解所述待测样品的载流子浓度。本发明大幅地缩短大批量晶圆的检测时间，并从根源上消除了多次采集带来的误差、有效地提高了检测的准确性，为半导体材料的研发与质控提供了一种强有力的先进表征工具，能够满足半导体行业大规模、高通量的晶圆检测需求。

本发明授权基于太赫兹时域光谱的载流子浓度检测方法、系统及介质在权利要求书中公布了：1.一种基于太赫兹时域光谱的载流子浓度检测方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤： 获取待测样品的反射时域信号； 所述反射时域信号的第一个反射峰经傅里叶变换，得到第一幅值和或第一相位；所述反射时域信号的第二个反射峰经傅里叶变换，得到第二幅值和或第二相位； 根据所述第一幅值、第二幅值、第一反射模型，或者根据所述第一相位、第二相位、第二反射模型，求解所述待测样品的载流子浓度； 其中，所述第一反射模型为： 所述第二反射模型为： 其中，为第一幅值与第二幅值的比值，为第一相位与第二相位的差值，为太赫兹波自空气进入第一层离子注入层的分界面的反射系数，为太赫兹波自第i层进入第i+1层的分界面的反射系数，为第i层离子注入层的相对透射率，为第i层离子注入层的传递函数，其中，i=1,2,…,m，Tj为第j层离子注入层的相对透射率，Hj为第j层离子注入层的传递函数，其中，j=1,2,…,i，pm+1为太赫兹波在高阻硅层中的传播损耗； 在根据第一幅值、第二幅值、第一反射模型求解载流子浓度时，基于所述第一幅值、第二幅值计算得到测试幅值比，设定预估载流子浓度，将预估载流子浓度带入至所述第一反射模型计算得到理论幅值比，拟合所述理论幅值比和测试幅值比，调节所述预估载流子浓度，直至所述理论幅值比与测试幅值比的差值小于第一预设值，所述理论幅值比对应的预估载流子浓度作为所述待测样品的载流子浓度； 或者在根据第一相位、第二相位、第二反射模型求解载流子浓度时，基于所述第一相位、第二相位计算得到测试相位差，设定预估载流子浓度，将预估载流子浓度带入至所述第二反射模型计算得到理论相位差，拟合所述理论相位差和测试相位差，调节所述预估载流子浓度，直至所述理论相位差与测试相位差的差值小于第二预设值，所述理论相位差对应的预估载流子浓度作为所述待测样品的载流子浓度。

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