天津大学;中国电子科技集团公司第二十九研究所崔振铎获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉天津大学;中国电子科技集团公司第二十九研究所申请的专利芯片键合焊盘的制备方法及芯片键合方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121237666B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511784380.7，技术领域涉及：H10W72/00；该发明授权芯片键合焊盘的制备方法及芯片键合方法是由崔振铎;曾策;朱胜利;赵明;李朝阳;张剑;梁砚琴;刘爽;姜辉设计研发完成，并于2025-12-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本芯片键合焊盘的制备方法及芯片键合方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种芯片键合焊盘的制备方法及芯片键合方法，属于微电子技术领域。该制备方法包括在芯片的待键合的一面沉积粘附层及种子层，其中芯片的待键合的一面上形成有焊盘；在粘附层及种子层上涂覆光刻胶，采用图案化工艺暴露出位于焊盘上的键合焊盘区域，在键合焊盘区域上依次电镀沉积金层和银层；去除剩余的光刻胶，并刻蚀去除暴露出的粘附层及种子层；利用激光选择性照射银层，使得银层与金层进行激光选择性合金化，以基于银层和金层形成合金化部分和未合金化部分；以及进行去合金化处理，以暴露出未合金化部分的金层，并使得合金化部分形成纳米修饰层，形成芯片键合焊盘。
本发明授权芯片键合焊盘的制备方法及芯片键合方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片键合焊盘的制备方法，其特征在于，包括： 在芯片1的待键合的一面沉积粘附层及种子层4，其中所述芯片1的待键合的一面上形成有焊盘3； 在所述粘附层及种子层4上涂覆光刻胶5，采用图案化工艺暴露出位于所述焊盘3上的键合焊盘区域，在所述键合焊盘区域上依次电镀沉积金层6和银层7； 去除剩余的光刻胶5，并刻蚀去除暴露出的所述粘附层及种子层4； 利用激光选择性照射所述银层7，使得所述银层7与所述金层6进行激光选择性合金化，以基于所述银层7和所述金层6形成合金化部分8和未合金化部分；以及 进行去合金化处理，以暴露出所述未合金化部分的金层6，并使得所述合金化部分8形成纳米修饰层9，形成所述芯片键合焊盘。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人天津大学;中国电子科技集团公司第二十九研究所，其通讯地址为：300354 天津市津南区海河教育园区雅观路135号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励