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龙图腾网获悉禾纳半导体(深圳)有限公司申请的专利双半桥电路模块封装方法以及双半桥电路模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121237656B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511769903.0，技术领域涉及：H10W70/04；该发明授权双半桥电路模块封装方法以及双半桥电路模块是由杨伟东;向军;秦怀东设计研发完成，并于2025-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本双半桥电路模块封装方法以及双半桥电路模块在说明书摘要公布了：本申请涉及电子元件封装领域，尤其是涉及一种双半桥电路模块封装方法以及双半桥电路模块。本申请需要先获取多个晶体管芯片和电路基板；其中，每一晶体管芯片的漏极位于晶体管芯片的下表面，每一晶体管芯片的栅极和源极位于晶体管芯片的上表面，电路基板设有多个基板芯片座；针对每一晶体管芯片，将晶体管芯片的下表面安装在对应的基板芯片座上；在电路基板上铺设形成隔离屏蔽层；针对每一晶体管芯片栅极和源极的位置除去隔离材料，针对隔离屏蔽层铺铜，以按照预设的双半桥电路连接方案布置线路，形成双半桥电路；在双半桥电路上方铺设绝缘材料，以形成模块封装层，得到双半桥电路模块，有助于那些拥有较好性能表现的电子设备实现小型化。

本发明授权双半桥电路模块封装方法以及双半桥电路模块在权利要求书中公布了：1.一种双半桥电路模块封装方法，其特征在于，包括： 获取多个晶体管芯片和电路基板；其中，每一所述晶体管芯片的漏极位于所述晶体管芯片的下表面，每一所述晶体管芯片的栅极和源极位于所述晶体管芯片的上表面，所述电路基板设有多个基板芯片座； 针对每一所述晶体管芯片，将所述晶体管芯片的下表面安装在对应的所述基板芯片座上，以使各所述晶体管芯片的漏极与所述电路基板电气连接，形成漏极端口； 在安装好各所述晶体管芯片之后，在所述电路基板上铺设绝缘材料，以形成隔离屏蔽层； 针对每一所述晶体管芯片对应上表面栅极和源极的位置除去所述绝缘材料，以在所述隔离屏蔽层上形成栅极透出口和源极透出口； 在形成所述栅极透出口和所述源极透出口之后，针对所述隔离屏蔽层上方执行铺铜工艺，以按照预设的双半桥电路连接方案为各所述晶体管芯片的栅极、源极以及各所述漏极端口布置线路，形成双半桥电路； 其中，所述针对所述隔离屏蔽层上方执行铺铜工艺，以按照预设的双半桥电路连接方案为各所述晶体管芯片的栅极、源极以及各所述漏极端口布置线路，形成双半桥电路，具体包括： 获取多种类型的引脚位置需求； 从所述双半桥电路连接方案中，提取出匹配于每一所述引脚位置需求的分层连接方案； 从多个所述分层连接方案中确定目标层连接方案，并基于所述目标层连接方案为各所述晶体管芯片的栅极、源极以及各所述漏极端口布置线路，形成符合其中一种所述引脚位置需求的所述双半桥电路； 在形成符合其中一种所述引脚位置需求的所述双半桥电路之后，在所述双半桥电路上方另铺设所述隔离屏蔽层； 在所述双半桥电路上方另铺设所述隔离屏蔽层之后，返回执行从未被选中过的所述分层连接方案中重新确定所述目标层连接方案，并基于重新确定的所述目标层连接方案为各所述晶体管芯片的栅极、源极以及各所述漏极端口布置线路，形成符合另一种所述引脚位置需求的所述双半桥电路，直至每一所述引脚位置需求对应的双半桥电路均被形成；其中，不同所述双半桥电路之间均由所述隔离屏蔽层填充； 在所述双半桥电路上方铺设绝缘材料，以形成模块封装层，得到所述双半桥电路模块。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人禾纳半导体(深圳)有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区高新南九道10号深圳湾科技生态园10栋B2906；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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