湖北九峰山实验室刘力获国家专利权
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龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利一种在Si衬底上外延高质量AlN的分子束外延制备方法及AlN外延片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121215514B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511741579.1，技术领域涉及：H10P14/24；该发明授权一种在Si衬底上外延高质量AlN的分子束外延制备方法及AlN外延片是由刘力;卢双赞;潘磊;潘嘉杰;徐豪;柯鑫池;李浩宇;赵波;柳俊设计研发完成，并于2025-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种在Si衬底上外延高质量AlN的分子束外延制备方法及AlN外延片在说明书摘要公布了：本发明涉及一种在Si衬底上外延高质量AlN的分子束外延制备方法及AlN外延片，制备方法包括：S1.获取衬底，对衬底进行红外灯烘烤，加热预处理后进行高温脱氧，得到预处理衬底；S2.采用分子束外延方法，在预处理衬底上预铺Al层；S3.采用分子束外延方法，在预铺Al层上生长AlN外延层；S4.持续通入氮等离子体后处理，降温至传片温度，得到外延片。本发明的技术方案中，通过预铺Al层可抑制衬底与AlN层中的N发生反应，避免了非晶颗粒的形成，从而提高了AlN形貌，同时，预铺的Al层不仅缓解了衬底材料与AlN的晶格失配问题，还为后续AlN层的生长提高了Al原子迁移率，促进二维生长，从而提高AlN晶体质量。
本发明授权一种在Si衬底上外延高质量AlN的分子束外延制备方法及AlN外延片在权利要求书中公布了：1.一种在衬底上外延高质量AlN的分子束外延制备方法，其特征在于，包括： S1.获取衬底，对衬底进行红外灯烘烤，加热预处理后进行高温脱氧，得到预处理衬底； S2.采用分子束外延方法，在预处理衬底上预铺Al层； S3.采用分子束外延方法，在预铺Al层上生长AlN外延层； S4.持续通入氮等离子体后处理，降温至传片温度，得到外延片。
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