上海空间电源研究所解晶莹获国家专利权
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龙图腾网获悉上海空间电源研究所申请的专利一种电解质薄膜、其制备方法及固态电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121192243B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511737462.6，技术领域涉及：H01M10/0562；该发明授权一种电解质薄膜、其制备方法及固态电池是由解晶莹;邢志皓;罗英设计研发完成，并于2025-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种电解质薄膜、其制备方法及固态电池在说明书摘要公布了：本发明公开了一种电解质薄膜、其制备方法及固态电池。电解质薄膜具有三层堆叠结构，包括：正极稳定层，其在主体材料中掺杂F元素；快离子电导层，其在主体材料中掺杂O元素；负极稳定层，其在主体材料中掺杂N元素；其中，快离子电导层位于正极稳定层与负极稳定层之间；正极稳定层、快离子电导层与负极稳定层的主体材料为相同的固态卤化物电解质。本发明以同一固态卤化物电解质为主体材料，通过分层掺杂不同元素F、O、N构建一种正极稳定层‑快离子电导层‑负极稳定层的三层堆叠结构，利用同质主体材料，可有效抑制电解质层之间的副反应并保持较好的接触性，同时通过各层功能化掺杂实现性能互补，兼顾高离子传导率及宽电化学窗口。
本发明授权一种电解质薄膜、其制备方法及固态电池在权利要求书中公布了：1.一种电解质薄膜，其特征在于，具有三层堆叠结构，包括： 正极稳定层，其在主体材料中掺杂F元素； 快离子电导层，其在主体材料中掺杂O元素； 负极稳定层，其在主体材料中掺杂N元素； 其中，所述快离子电导层位于正极稳定层与负极稳定层之间；所述正极稳定层、快离子电导层与负极稳定层的主体材料为相同的固态卤化物电解质；所述快离子电导层的厚度与正极稳定层的厚度比例为1.5:1~3:1；所述快离子电导层的厚度与负极稳定层的厚度比例为1.5:1~3:1。
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