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龙图腾网获悉北京集创北方科技股份有限公司申请的专利显示驱动电路、驱动芯片及显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121122167B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511660578.4，技术领域涉及：G09G3/20；该发明授权显示驱动电路、驱动芯片及显示装置是由胡龙山;刘计平;刘宇航设计研发完成，并于2025-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本显示驱动电路、驱动芯片及显示装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种显示驱动电路、驱动芯片及显示装置。根据本发明实施例的显示驱动电路包括：第一晶体管和第二晶体管，流经所述第一晶体管的电流和流经所述第二晶体管的电流的比值为A；第三晶体管和第四晶体管，流经所述第三晶体管的电流和流经所述第四晶体管的电流的比值为N；第五晶体管和第六晶体管，流经所述第五晶体管的电流和流经所述第六晶体管的电流的比值为B，其中，在小信号阶段，电流的建立速度与所述第一晶体管的等效跨导相关；所述等效跨导与B和N的乘积成正比，并与A成反比。根据本发明实施例的显示驱动电路、驱动芯片及显示装置，提高了电流建立速度。

本发明授权显示驱动电路、驱动芯片及显示装置在权利要求书中公布了：1.一种显示驱动电路，包括： 第一晶体管和第二晶体管，流经所述第一晶体管的电流和流经所述第二晶体管的电流的比值为A； 第三晶体管和第四晶体管，流经所述第三晶体管的电流和流经所述第四晶体管的电流的比值为N； 第五晶体管和第六晶体管，流经所述第五晶体管的电流和流经所述第六晶体管的电流的比值为B， 其中，在小信号阶段，电流的建立速度与所述第一晶体管的等效跨导相关；所述等效跨导与B和N的乘积成正比，并与A成反比； 所述第一晶体管为P型MOS管，所述第二晶体管为P型MOS管；所述第一晶体管的栅极经由开关连接至所述第一晶体管的漏极，所述第二晶体管的栅极与所述第一晶体管的栅极相连； 所述第三晶体管为N型MOS管，所述第四晶体管为N型MOS管；所述第三晶体管的漏极与所述第一晶体管的漏极相连接，所述第四晶体管的栅极与漏极短接； 所述第五晶体管为N型MOS管，所述第六晶体管为N型MOS管；所述第五晶体管的栅极与所述第六晶体管的栅极相连； 所述第二晶体管的漏极与所述第六晶体管的漏极相连，且所述第六晶体管的栅极与漏极短接形成二极管连接； 所述第三晶体管的源极、所述第四晶体管的源极、所述第五晶体管的源极和所述第六晶体管的源极均接地； 所述第三晶体管的栅极与所述第四晶体管的栅极相连，所述第四晶体管的漏极与所述第五晶体管的漏极相连。

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