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龙图腾网获悉森一量子科技(厦门)有限公司申请的专利一种无需衬底的Bi掺杂稀土铁石榴石体单晶生长技术获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121110160B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511657795.8，技术领域涉及：C30B11/00；该发明授权一种无需衬底的Bi掺杂稀土铁石榴石体单晶生长技术是由陈腾波;高浩然;张榕贵;李来超;叶纪龙;雷云设计研发完成，并于2025-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种无需衬底的Bi掺杂稀土铁石榴石体单晶生长技术在说明书摘要公布了：本发明涉及一种无需衬底的Bi掺杂稀土铁石榴石体单晶生长技术，包含以下步骤：原料制备，熔体制备，将熔体降温至晶体生长温度，熔体温度稳定后，将安装有籽晶的籽晶杆缓慢下降，与熔体接触，籽晶以一定速度旋转；生长过程中，按照设定的变速降温曲线进行晶体生长，生长一段时间后得到块状晶体；将块状晶体从熔体中拉出，并缓慢降温到室温，得到Bi掺杂稀土铁石榴石体单晶。本发明制得大尺寸的块状单晶，摆脱现有法拉第旋光片生长对衬底的依赖性，并且降低了生产成本。本发明可以获得在相同波长下，比现有产品厚度更薄的法拉第旋光片，进一步减小了体积。而且实现多个面同时生长，获得更大尺寸的晶体。

本发明授权一种无需衬底的Bi掺杂稀土铁石榴石体单晶生长技术在权利要求书中公布了：1.一种无需衬底的Bi掺杂稀土铁石榴石体单晶生长方法，其特征在于，包含以下步骤： S01，原料制备：称取氧化铋、稀土氧化物、氧化铁、碳酸钠、氧化硼、氧化硅、碳酸钾各粉末混合均匀，置于铂金坩埚中；其中稀土氧化物与氧化铁质量之和占原料总质量的7.7%～14%； S02，制备熔体：对装有原料的坩埚进行加热，熔化温度范围：1200~1600℃，并充分搅拌使原料完全熔化；经过至少12h保温令原料均化； S03，生长预处理：将熔体缓慢降温至晶体初始生长温度T0；通过温度设置控制熔体内部的温度梯度； S04，晶体生长：熔体温度稳定后，将安装有籽晶的籽晶杆缓慢下降，与熔体接触，籽晶以一定速度旋转；生长过程中，籽晶保持旋转，按变速降温曲线进行晶体生长，生长一段时间后得到块状晶体；将块状晶体从熔体中拉出，并缓慢降温到室温；所述块状晶体为Bi掺杂稀土铁石榴石体单晶；所述变速降温曲线满足一元三次方程T=T0-At3-Bt2-Ct，其中T表示熔体温度，t是生长时间，T0表示晶体初始生长温度，系数A、B、C为常数。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人森一量子科技(厦门)有限公司，其通讯地址为：361000 福建省厦门市集美区灌口镇集美北大道1068号18号楼第五层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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