吉安豫顺新材料股份有限公司张光辉获国家专利权
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龙图腾网获悉吉安豫顺新材料股份有限公司申请的专利Low-α射线球形氧化铝/液晶聚合物5G基站基板材料获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121108699B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511260542.7，技术领域涉及：C08L67/04；该发明授权Low-α射线球形氧化铝/液晶聚合物5G基站基板材料是由张光辉;汤浩;邹文彬设计研发完成，并于2025-09-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本Low-α射线球形氧化铝/液晶聚合物5G基站基板材料在说明书摘要公布了：本发明属于高频通信材料领域，具体公开了一种Low‑α射线球形氧化铝液晶聚合物5G基站基板材料，其特征在于，包含液晶共聚物基体与Ce3+掺杂球形氧化铝填料；所述液晶共聚物基体包括60～68mol％对羟基苯甲酸、20～24mol％5,5’‑二硫代双2‑硝基苯甲酸与12～16mol％4‑5‑氨基‑6‑羟基‑2‑苯并噁唑‑苯甲酸三种共聚单体；所述Ce3+掺杂球形氧化铝填料表面依次包覆Bi2Te3‑xSex拓扑绝缘层及磷酸酯硅烷接枝层，其中x＝0.12～0.18。本发明的Low‑α射线球形氧化铝液晶聚合物5G基站基板材料，其α射线屏蔽率≥99.95％，热导率≥3.35WmK，在28GHz下介电损耗因子tanδ＜0.00014，可满足在5G毫米波天线应用中对基板的高频、高可靠等严苛需求。
本发明授权Low-α射线球形氧化铝/液晶聚合物5G基站基板材料在权利要求书中公布了：1.Low-α射线球形氧化铝液晶聚合物5G基站基板材料，其特征在于，以基板材料总质量为100wt%计，包括如下组分： 42~50wt%液晶共聚物基体，包括以下摩尔百分比的羧酸共聚单体：60~68mol%对羟基苯甲酸、20~24mol%5,5’-二硫代双2-硝基苯甲酸与12~16mol%4-5-氨基-6-羟基-2-苯并噁唑-苯甲酸；且所述5,5’-二硫代双2-硝基苯甲酸在共聚前需与含铈化合物预络合； 35~40wt%Ce3+掺杂球形氧化铝填料，其表面依次包覆：Bi2Te3-xSex拓扑绝缘层与磷酸酯硅烷接枝层，其中x=0.12~0.18； 3~5wt%双马来酰亚胺、2~4wt%紫外吸收剂以及5~9wt%增塑剂。
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