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龙图腾网获悉中芯集成电路(宁波)有限公司申请的专利滤波器的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121098264B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511657894.6，技术领域涉及：H03H3/08；该发明授权滤波器的形成方法是由丁本远;尹振忠;齐飞;宣怡艳;刘东庆设计研发完成，并于2025-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本滤波器的形成方法在说明书摘要公布了：一种滤波器的形成方法，包括：在边缘区中形成遮盖初始电极指的第一掩膜之后，去除第一掩膜层侧部的初始叉指电极的部分厚度，形成汇流区的汇流条、以及中心区和边缘区的电极指，并在第一掩膜层和边缘区的电极指相交处形成位于电极指顶部的活塞结构；由于第一掩膜层遮盖边缘区中的初始电极指，且第一掩膜层在基底上的投影与初始电极指在基底上的投影相交，即第一掩膜层的边缘与边缘区中的初始电极指的侧壁自对准，因此，活塞结构的侧壁与电极指的侧壁相对准，有利于提高叉指电极的形貌质量、以及电极指和活塞结构的对准精度，从而提高了滤波器抑制杂波的作用。

本发明授权滤波器的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种滤波器的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底包括中心区、汇流区以及位于所述中心区与汇流区之间的边缘区；中心区用于为后续形成电极指提供空间位置，汇流区用于为后续形成的汇流条提供空间位置，边缘区用于为后续形成活塞结构和电极指提供空间位置；所述基底包括一个位于中心的中心区，以及位于中心区两侧的两个汇流区；所述基底还包括两个边缘区，分别位于中心区和汇流区之间，所述中心区、边缘区和汇流区依次排布； 在所述中心区、边缘区和汇流区的基底上形成初始叉指电极，所述初始叉指电极包括位于所述汇流区的初始汇流条、以及位于所述中心区和边缘区的初始电极指，所述初始电极指沿第一方向延伸且沿第二方向间隔排布，所述初始汇流条沿第二方向延伸且连接各个所述初始电极指，所述第一方向与所述第二方向相垂直； 在所述边缘区中形成遮盖所述初始电极指的第一掩膜层，所述第一掩膜层沿第二方向延伸，所述第一掩膜层在所述基底上的投影与所述初始电极指在所述基底上的投影相交； 去除位于所述第一掩膜层侧部的所述初始叉指电极的部分厚度，形成位于所述汇流区的汇流条、以及位于所述中心区和边缘区的电极指，并在所述第一掩膜层和所述边缘区的电极指的相交处形成位于所述电极指顶部的活塞结构，所述汇流条、活塞结构和电极指构成叉指电极；去除位于所述第一掩膜层侧部的所述初始叉指电极的部分厚度步骤中，在第一掩膜层厚度所在方向去除所述初始叉指电极的部分厚度；在同一步骤中形成活塞结构和电极指； 在所述边缘区中形成遮盖所述初始电极指的第一掩膜层之前，还包括： 在相邻的所述初始叉指电极之间形成填充层； 在所述边缘区中形成遮盖所述初始电极指的第一掩膜层的步骤包括：在所述边缘区的填充层顶部形成沿所述第二方向延伸的第一掩膜层，所述第一掩膜层还遮盖所述初始电极指； 去除位于所述第一掩膜层侧部的所述初始叉指电极的部分厚度的步骤包括：以所述第一掩膜层和所述填充层为掩膜，去除部分厚度的所述中心区和汇流区的初始叉指电极，在所述边缘区的初始电极指上形成凸立的活塞结构，位于所述汇流区的剩余厚度的初始汇流条作为汇流条，位于所述中心区和边缘区的剩余厚度的初始电极指作为电极指； 形成所述汇流条、电极指和活塞结构之后，还包括：去除所述第一掩膜层和填充层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯集成电路(宁波)有限公司，其通讯地址为：315800 浙江省宁波市北仑区小港街道安居路335号3幢、4幢、5幢；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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