京东方华灿光电(浙江)有限公司童志笛获国家专利权
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龙图腾网获悉京东方华灿光电(浙江)有限公司申请的专利改善电流集中的发光二极管及其制备方法和显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121057377B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511604988.7，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权改善电流集中的发光二极管及其制备方法和显示面板是由童志笛;吴志浩;张威;王江波设计研发完成，并于2025-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本改善电流集中的发光二极管及其制备方法和显示面板在说明书摘要公布了：本公开提供了一种改善电流集中的发光二极管及其制备方法和显示面板，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括外延层，所述外延层的顶面具有多个间隔排布的载流子通道区，以及各所述载流子通道区之间的钝化区，所述载流子通道区的载流子浓度高于所述钝化区的载流子浓度。本公开实施例能改善外延层的表面电流过度集中而导致严重发热的问题，提升发光二极管的可靠性。
本发明授权改善电流集中的发光二极管及其制备方法和显示面板在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括外延层20，所述外延层20的顶面具有多个间隔排布的载流子通道区201，以及各所述载流子通道区201之间的钝化区202，所述载流子通道区201的载流子浓度高于所述钝化区202的载流子浓度，所述载流子通道区201朝所述外延层20的底面延伸； 所述外延层20包括依次层叠的第一半导体层21、多量子阱层22和第二半导体层23，所述载流子通道区201位于所述第二半导体层23的顶面上，所述第二半导体层23对应所述载流子通道区201的膜层的载流子浓度高于所述第二半导体层23对应所述钝化区202的膜层的载流子浓度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人京东方华灿光电(浙江)有限公司，其通讯地址为：322000 浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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