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龙图腾网获悉中国人民解放军国防科技大学申请的专利基于脉冲束流调制的一体式中和离子源及离子束抛光设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121011486B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511535651.5，技术领域涉及：H01J37/08；该发明授权基于脉冲束流调制的一体式中和离子源及离子束抛光设备是由石峰;巩保启;田野;郭双鹏;张万里;谢凌波设计研发完成，并于2025-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于脉冲束流调制的一体式中和离子源及离子束抛光设备在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于脉冲束流调制的一体式中和离子源及离子束抛光设备，本发明的一体式中和离子源包括电离室、三栅离子光学组件、双极脉冲电源和直流电压源，所述三栅离子光学组件布置于电离室的离子束流出口处，所述三栅离子光学组件包括相互平行并间隙布置的屏栅、加速栅和减速栅，所述屏栅布置于靠近电离室的一侧，加速栅接直流电压源，减速栅接地，屏栅接双极脉冲电源相连以用于通过控制双极脉冲电源的正电压和负电压的占空比来控制单个周期内脉冲束流中正离子和电子的比例以实现精准中和。本发明旨在通过离子源实现中和器的中和功能，简化离子束抛光设备中和器的使用，简化离子束抛光设备结构，降低成本，实现精准中和。

本发明授权基于脉冲束流调制的一体式中和离子源及离子束抛光设备在权利要求书中公布了：1.一种基于脉冲束流调制的一体式中和离子源的应用方法，其特征在于，所述一体式中和离子源安装在机床上以用于离子束加工，所述一体式中和离子源包括电离室1、三栅离子光学组件2、双极脉冲电源3和直流电压源4，所述三栅离子光学组件2布置于电离室1的离子束流出口处，所述三栅离子光学组件2包括相互平行并间隙布置的屏栅21、加速栅22和减速栅23，所述屏栅21布置于靠近电离室1的一侧，加速栅22接直流电压源4，减速栅23接地，屏栅21接双极脉冲电源3以用于通过控制双极脉冲电源3的正电压和负电压的占空比来控制单个周期内脉冲束流中正离子和电子的比例以实现精准中和以提高离子束加工表面质量，当屏栅21电压为正电压时，屏栅21与低电位的加速栅22之间形成电势差，正离子束流在电场作用下从离子腔体内被抽出；当屏栅21无电压时，其与减速栅23之间无电势差，离子束不被引出；当屏栅21电压为负电压时，形成反向的加速电场，将带负电的电子从电离室1的离子腔体内抽出；所述应用方法包括下述步骤： S101，确定加工样件的导电性能，所述导电性能是指确定加工样件的电阻； S102，根据加工样件的导电性能确定对应的中和程度； S103，根据中和程度控制双极脉冲电源3的正电压和负电压的占空比来控制单个周期内脉冲束流中正离子和电子的比例以实现精准中和，且双极脉冲电源3的正电压和负电压的占空比与中和程度成反向关系，导电性能越好则占空比越大。

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