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龙图腾网获悉天津中科晶禾电子科技有限责任公司申请的专利混合键合结构、其制造方法、混合键合工艺及键合设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120977982B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511492504.4，技术领域涉及：H10W80/00；该发明授权混合键合结构、其制造方法、混合键合工艺及键合设备是由李云峰;高智伟;母凤文;郭超;谭向虎;刘福超设计研发完成，并于2025-10-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本混合键合结构、其制造方法、混合键合工艺及键合设备在说明书摘要公布了：本发明属于半导体制造技术领域，提供了一种混合键合结构、其制造方法、混合键合工艺及键合设备。混合键合结构中的第一待键合晶圆包括带有填充槽的介电层，其中设置第一金属块；还包括带有能暴露出第一金属块的开口槽的第一介质层，且开口槽中第一介质层形成第一倾斜侧面；混合键合结构中的第二待键合晶圆包括在第二介质层上凸出设置的第二金属块；第二金属块具有与第一倾斜侧面相匹配的第二倾斜侧面；在键合时，开口槽容纳第二金属块，且通过第一倾斜侧面与第二倾斜侧面的配合避免了由机械运动、振动等因素导致的键合误差，从而保持了更低的偏移，有效改善键合对准的精度问题。本发明提供的混合键合工艺与键合设备用于执行混合键合结构的键合。

本发明授权混合键合结构、其制造方法、混合键合工艺及键合设备在权利要求书中公布了：1.一种混合键合的工艺，其特征在于，所述工艺包括： 提供混合键合结构，所述混合键合结构包括第一待键合晶圆与第二待键合晶圆； 所述第一待键合晶圆包括第一原始晶圆，以及在其待键合一侧层叠设置的介电层以及第一介质层；所述介电层中设置有填充槽，所述填充槽中设置有与第一原始晶圆相接触的第一金属块；所述第一介质层中设置有与所述填充槽位置相对应的开口槽，暴露出所述第一金属块；所述开口槽中，所述第一介质层中形成第一倾斜侧面； 所述第二待键合晶圆包括第二原始晶圆，以及在其待键合面一侧设置的第二介质层；所述第二介质层中远离所述第二原始晶圆的一侧表面上设置有凸出的第二金属块； 所述开口槽与所述第二金属块配置为：所述第二金属块具有与所述第一倾斜侧面相匹配的第二倾斜侧面，且所述第一介质层与所述第二介质层在键合中贴合接触时，所述开口槽容纳所述第二金属块； 将第一待键合晶圆或第二待键合晶圆之一作为上晶圆，另外一个待键合晶圆作为下晶圆； 将上晶圆与下晶圆进行预对位，使第二金属块与开口槽对准； 进行点压处理，使第一介质层与第二介质层贴合接触，在此过程中，第二金属块的第二倾斜侧面与开口槽的第一倾斜侧面相配合，使第二金属块嵌入到开口槽中，实现上晶圆与下晶圆的精对准； 进行面压处理，在面压处理结束后，第一介质层与第二介质层实现连接，同时第一金属块与第二金属块实现连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人天津中科晶禾电子科技有限责任公司，其通讯地址为：300451 天津市滨海新区塘沽海洋科技园新北路4668号创新创业园22-A号厂房二层C角；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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