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龙图腾网获悉深圳市华智胜科技有限公司申请的专利垂直堆叠多层电荷陷阱的三维闪存存储器阵列系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120895063B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511003367.3，技术领域涉及：G11C5/02；该发明授权垂直堆叠多层电荷陷阱的三维闪存存储器阵列系统是由蒋磊;王莉设计研发完成，并于2025-07-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本垂直堆叠多层电荷陷阱的三维闪存存储器阵列系统在说明书摘要公布了：本发明涉及三维闪存存储技术领域，公开了垂直堆叠多层电荷陷阱的三维闪存存储器阵列系统。该系统的垂直堆叠存储阵列模块依据存储器单元物理布局信息，确定阵列结构配置参数集；栅极电压调控模块基于该参数集，生成栅极电压调控参数集以优化电荷捕获效率；电荷陷阱层管理模块据此调整陷阱层材料与分布，生成动态调控结果；数据读写优化模块基于此结果调整电压脉冲参数，生成读写优化数据；错误检测与校正模块则据此优化纠错机制，生成控制表。该系统通过多模块协同，实现了多层堆叠结构下电荷存储、调控、读写及纠错的一体化优化，适配高密度存储需求下的性能提升。

本发明授权垂直堆叠多层电荷陷阱的三维闪存存储器阵列系统在权利要求书中公布了：1.垂直堆叠多层电荷陷阱的三维闪存存储器阵列系统，其特征在于，所述系统包括： 垂直堆叠存储阵列模块根据存储器单元的物理布局信息，调用存储单元的堆叠层数、电荷陷阱层厚度和垂直通道直径数据，分析堆叠结构与电荷存储容量匹配程度，确定存储单元阵列的排列方式和层间隔离参数，生成阵列结构配置参数集； 栅极电压调控模块基于所述阵列结构配置参数集，提取控制栅极的电压值和电压变化速率，分析栅极电压输出对电荷捕获效率的影响，调整控制栅极的电压分布均匀性，生成栅极电压调控参数集； 电荷陷阱层管理模块基于所述栅极电压调控参数集，分析电荷在陷阱层中的捕获和释放动态，调整陷阱层材料的组分比例和厚度分布，重新分配电荷陷阱密度的空间分布和陷阱能级参数，生成电荷陷阱层动态调控结果； 数据读写优化模块基于所述电荷陷阱层动态调控结果，提取存储器读写过程中的实时电荷保持率和数据传输速率，分析波动范围对数据读写准确性的影响，动态调整目标存储单元的电压脉冲宽度和幅度比值，生成读写优化调整数据集； 错误检测与校正模块基于所述读写优化调整数据集，分析存储数据的错误比特分布和出现频率，调整错误校正编码的校验位长度和纠错算法参数，生成数据错误检测与校正控制表。

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