西安西电慧创集成电路有限公司;陕西秦芯产研院科技有限公司张鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉西安西电慧创集成电路有限公司;陕西秦芯产研院科技有限公司申请的专利一种钝化层结构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120878653B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511090782.7，技术领域涉及：H10W74/10；该发明授权一种钝化层结构及制备方法是由张鹏;车鑫川;陈曦设计研发完成，并于2025-08-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种钝化层结构及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种钝化层结构及制备方法，属功率半导体表面钝化领域。结构含氧化硅基第一钝化层、硅烷‑二氧化硅第二钝化层、氮化硅基第三钝化层，可加聚酰亚胺层；采用PECVD、硅烷氧化沉积制备，配合分阶段气体控制的退火及光刻刻蚀，在简化工艺降低成本的同时解决了传统钝化层应力开裂问题，提升了水汽和钠离子阻隔能力，增强了功率半导体在复杂环境下的可靠性，在电动汽车电机控制器、光伏逆变器、风电变流器及工业变频器等领域具有广阔应用前景。
本发明授权一种钝化层结构及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种钝化层结构，其特征在于，所述钝化层结构包括： 氧化硅基的第一钝化层； 第一钝化层上的第二钝化层； 第二钝化层上的氮化硅基的第三钝化层； 所述氧化硅基的第一钝化层为低应力正硅酸乙酯层；所述第二钝化层为硅烷氧化沉积过程中通入一氧化二氮氧化剂形成的硅烷-二氧化硅层；所述氮化硅基的第三钝化层为高电阻氮化硅层；所述低应力正硅酸乙酯层厚度为0.05-0.3μm，所述硅烷-二氧化硅层厚度为0.05-0.5μm；所述高电阻氮化硅层厚度为0.5-3μm。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安西电慧创集成电路有限公司;陕西秦芯产研院科技有限公司，其通讯地址为：710068 陕西省西安市沣东新城能源金贸区起步区一期三区3-D座6层611室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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