浙江晶科能源有限公司谷渊博获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江晶科能源有限公司申请的专利太阳能电池及其制作方法、叠层电池及光伏组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120857699B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511358579.3，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权太阳能电池及其制作方法、叠层电池及光伏组件是由谷渊博;张宁;周静;费志良;李超设计研发完成，并于2025-09-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本太阳能电池及其制作方法、叠层电池及光伏组件在说明书摘要公布了：本申请涉及一种太阳能电池及其制作方法、叠层电池及光伏组件，涉及光伏技术领域。制作方法包括：提供基底；通过原子层沉积在基底的表面形成隧穿氧化层，采用等离子体处理隧穿氧化层，将隧穿氧化层的界面态密度降低至预设密度以下；在隧穿氧化层远离基底的一侧沉积非晶硅层，同时向非晶硅层中原位掺杂第一元素；采用激光对非晶硅层进行退火处理，非晶硅形成多晶硅并激活掺杂原子，形成半导体掺杂层。提高了隧穿氧化层和半导体掺杂层的钝化效果，降低了太阳能电池的破片率并提升方阻均匀性。
本发明授权太阳能电池及其制作方法、叠层电池及光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括： 提供基底； 通过原子层沉积在所述基底的表面形成厚度为1nm~2nm的隧穿氧化层，以50W~100W的功率电离氢气得到氢等离子体，采用所述氢等离子体处理所述隧穿氧化层，处理时长为30s~60s，将所述隧穿氧化层的界面态密度降低至5×1010cm-2·eV-1~1×1011cm-2·eV-1；其中，原子层沉积所述隧穿氧化层的温度为200℃~250℃； 采用低压化学气相沉积在所述隧穿氧化层远离所述基底的一侧沉积非晶硅层，同时向所述非晶硅层中原位掺杂第一元素，向所述非晶硅层掺杂的所述第一元素的浓度为1×1019cm-3~5×1020cm-3； 采用波长为300nm~380nm的紫外激光对所述非晶硅层进行退火处理，扫描速度为10mms~50mms，能量密度为0.5Jcm2~1.5Jcm2，非晶硅形成多晶硅并激活掺杂原子，形成半导体掺杂层，所述紫外激光的能量密度为0.5Jcm2~1.5Jcm2。
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